Filtros
Filtros
Módulos discretos del semiconductor
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
MII300-12A4 |
Módulos de semiconductores discretos Módulo IGBT 1200V,300A
|
|
|
|
|
|
|
El valor de las emisiones de CO2 de los vehículos de las categorías M1 y M2 será el valor de las emisiones de CO2 de los vehículos de las categorías M2 y M3. |
Modulos de semiconductores discretos de 60 A 1400 V
|
|
|
|
|
|
|
MDD310-22N1 y sus derivados |
Los módulos de semiconductores discretos 310 Amp 2200V
|
|
|
|
|
|
|
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2. |
Módulos de semiconductores discretos de 30 A 600 V
|
|
|
|
|
|
|
MEK95-06DA, incluidos los siguientes: |
Modulos de semiconductores discretos de 190 A 600 V
|
|
|
|
|
|
|
MDD95-08N1B: el número de unidades |
Los módulos de semiconductores discretos 95 Amperios 800 V
|
|
|
|
|
|
|
Muebles para el transporte de pasajeros |
Módulos de semiconductores discretos de 25 Amperios 1200 V
|
|
|
|
|
|
|
MEA250-12DA |
Módulos de semiconductores discretos 500 Amperios 1200 V
|
|
|
|
|
|
|
TZ740N22KOFB1 |
Módulos discretos del semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
El DD260N16K |
Modulos de semiconductores discretos de 1600 V a 410 A
|
|
|
|
|
|
|
MDO500-16N1 y sus derivados |
Modulos de semiconductores discretos 500 Amperios 1600 V
|
|
|
|
|
|
|
MCD312-16IO1 y sus derivados |
Módulos de semiconductores discretos Módulo de tiristores 1600V 312A
|
|
|
|
|
|
|
Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
Modulos de semiconductores discretos de 1800 V a 950 A
|
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Los módulos de semiconductores discretos 2200V 220A
|
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Los módulos de semiconductores discretos 2200V 250A DUAL
|
|
|
|
|
|
|
Muchos de los componentes de los sistemas de seguridad de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad. |
Modulos de semiconductores discretos de 25 A 600 V
|
|
|
|
|
|
|
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Modulos de semiconductores discretos 100 Amperios 1200 V
|
|
|
|
|
|
|
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Módulos de semiconductores discretos 150 Amperios 1200 V
|
|
|
|
|
|
|
MCD255-12io1 |
Modulos de semiconductores discretos 255 Amperios 1200 V
|
|
|
|
|
|
|
TZ240N34KOF: el número de unidades |
Los módulos de semiconductores discretos 3400V 700A
|
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Modulos de semiconductores discretos de 1200 V a 350 A
|
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el método de ensayo. |
Modulos de semiconductores discretos 1600V 75A FL-CNTL
|
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el método siguiente: |
Modulos de semiconductores discretos de 1800 V a 800 A
|
|
|
|
|
|
|
El TZ600N14KOF |
Módulos de semiconductores discretos 1200V 1050A
|
|
|
|
|
|
|
TZ240N30KOF: el número de unidades |
Módulos de semiconductores discretos 3000V 700A único
|
|
|
|
|
|
|
El DD350N14K |
Módulos de semiconductores discretos de 1400 V a 550 A
|
|
|
|
|
|
|
Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
Modulos de semiconductores discretos 2000V 410A
|
|
|
|
|
|
|
El DD175N30K |
Modulos de semiconductores discretos de 3000 V a 350 A
|
|
|
|
|
|
|
DZ1070N28K |
Los módulos de semiconductores discretos 2800V 1700A
|
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Módulos de semiconductores discretos 1400V 800A DUAL
|
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Modulos de semiconductores discretos de 2200V a 800A
|
|
|
|
|
|
|
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Los módulos de semiconductores discretos 2200V 410A
|
|
|
|
|
|
|
TZ740N22KOF: el sistema de control de las emisiones de gases de escape |
Los módulos de semiconductores discretos 2200V 1500A
|
|
|
|
|
|
|
DD171N18K |
Módulos de semiconductores discretos de 1800 V a 270 A
|
|
|
|
|
|
|
No obstante lo dispuesto en el apartado 1, los requisitos siguientes se aplicarán: |
Modulos de semiconductores discretos de 1200 V a 160 A
|
|
|
|
|
|
|
TT210N18KOF |
Módulos discretos 1800V 410A del semiconductor DUALES
|
|
|
|
|
|
|
V72 a 26.120 ms |
Dispositivo de sujeción de módulos de semiconductores discretos
|
|
|
|
|
|
|
V89-26.300N |
Módulos discretos del semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
V50-14.45S |
Módulos discretos del semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
MIAA15WB600TMH |
Modulos de semiconductores discretos de 15 A 600 V
|
|
|
|
|
|
|
MCD95-14io1B |
Módulos de semiconductores discretos 95 Amperios 1400 V
|
|
|
|
|
|
|
MCD310-14IO1 |
Módulos de semiconductores discretos 310 Amperios 1400 V
|
|
|
|
|
|
|
MIAA15WD600TMH. No hay más que un minuto. |
Modulos de semiconductores discretos de 15 A 600 V
|
|
|
|
|
|
|
MCO25-16io1 |
Modulos de semiconductores discretos 25 Amperios 1600 V
|
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Modulos de semiconductores discretos de 140 A 800 V
|
|
|
|
|
|
|
MCD312-18io1 y sus derivados |
Módulos de semiconductores discretos 312 Amperios 1800 V
|
|
|
|
|
|
|
MCD44-14io8B |
Modulos de semiconductores discretos 44 Amperios 1400 V
|
|
|
|
|
|
|
MDD44-14N1B |
Modulos de semiconductores discretos 44 Amperios 1400 V
|
|
|
|
|
|
|
MCD132-18io1 y sus derivados |
Módulos de semiconductores discretos 132 Amperios 1800 V
|
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Modulos de semiconductores discretos de 1200 V a 410 A
|
|
|
|