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IGBTs

BSM50GB60DLCHOSA1 y sus componentes

BSM50GB60DLCHOSA1 y sus componentes

BSM50GB60DLCHOSA1 datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Modules product details from Cypress Semiconductor stock available at Tanssion
Se aplicará el método de ensayo de la norma de calidad de los productos.

Se aplicará el método de ensayo de la norma de calidad de los productos.

6MS24017E33W32780NOSA1 datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Modules product details from Cypress Semiconductor stock available at Tanssion
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

FF2MR12KM1H datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Modules product details from Cypress Semiconductor stock available at Tanssion
BSM75GB60DLCHOSA1 y sus componentes

BSM75GB60DLCHOSA1 y sus componentes

BSM75GB60DLCHOSA1 datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Modules product details from Cypress Semiconductor stock available at Tanssion
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

MA15037577NDSA1 datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Modules product details from Cypress Semiconductor stock available at Tanssion
FP75R07N2E4B16BOSA1 y sus componentes

FP75R07N2E4B16BOSA1 y sus componentes

FP75R07N2E4B16BOSA1 datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Modules product details from Cypress Semiconductor stock available at Tanssion
Se trata de un sistema de control de la calidad.

Se trata de un sistema de control de la calidad.

HIGFED1BOSA1 datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Modules product details from Cypress Semiconductor stock available at Tanssion
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

FS400R07A1E3BOMA1 datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Modules product details from Cypress Semiconductor stock available at Tanssion
Se trata de un sistema de control de las emisiones.

Se trata de un sistema de control de las emisiones.

CMLOGU50H60T3FG datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Modules product details from Microsemi stock available at Tanssion
Se aplicará el método de clasificación de los productos.

Se aplicará el método de clasificación de los productos.

CMTDGF90H603G datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Modules product details from Microsemi stock available at Tanssion
Imagenparte #DescripciónfabricanteComúnRFQ
FF450R12ME4

FF450R12ME4
Puerta aislada transistora bipolar
Tecnologías Infineon
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.

El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
IGBT MOD 600V 200A 595W SOT227B
IXYS
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades

El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades
Se aplicará el método de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
IXYS
El número de unidades de producción de los vehículos de las categorías IIa y IIIa

El número de unidades de producción de los vehículos de las categorías IIa y IIIa
IGBT MOD 1200V 100A 450W SOT227B
IXYS
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:
IGBT MOD 1200V 134A 690W SOT227B
IXYS
El número de unidades de producción es:

El número de unidades de producción es:
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
IXYS
MIXA40WB1200TED

MIXA40WB1200TED
IGBT MODULE 1200V 60A 195W E2
IXYS
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:
IGBT MOD 1200V 152A 830W SOT227B
IXYS
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán ser las siguientes:

Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán ser las siguientes:
IGBT MOD 1200V 88A 290W SOT227B
IXYS
El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:

El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:
IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B
IXYS
17 18 19 20 21
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Semiconductores

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Sensores, Transductores

Sensores

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