Filtros
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DIODOS
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
DIODE SCHOTTKY 25V 2A SMB
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STMicroelectrónica
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SOD123W
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Nexperia EE.UU. Inc.
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PNE20020ERX |
DIODE GEN PURP 200V 2A SOD123W
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Nexperia EE.UU. Inc.
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Se trata de un sistema de control de velocidad. |
DIODE AVALANCHE 800V 1A SOD57
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2. |
DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO220AA
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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APT30DQ100BG |
DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247
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Tecnología de microchips
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Las condiciones de los vehículos de transporte de mercancías se determinarán en el anexo I. |
DIODE SCHOTTKY 30V 2A CLP1608-2L
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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RR2LAM4STR |
DIODE GEN PURP 400V 2A PMDTM
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Semiconductor de Rohm
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RB168VYM100FHTR |
DIODE SCHOTTKY 100V 1A TUMD2M
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Semiconductor de Rohm
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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Se trata de un sistema de control de velocidad. |
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523
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Diodos incorporados
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Los demás elementos de los componentes de las máquinas de ensayo |
DIODE SCHOT 40V 200MA SOD80
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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Las demás partidas de los productos enumerados en el anexo II |
DIODE SCHOT 30V 200MA SOD80
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2. |
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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S1JHE3_A/I |
Se aplican las siguientes medidas:
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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MSS2P3-M3/89A: el número de unidades |
DIODE SCHOTTKY 30V 2A MICROSMP
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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El uso de las sustancias químicas en la fabricación de productos químicos |
DIODE SCHOTTKY 40V 300MA SOD323
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STMicroelectrónica
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BAT46WH,115 |
DIODE SCHOTT 100V 250MA SOD123F
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Nexperia EE.UU. Inc.
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1SS380TE-17 y sus derivados |
DIODE GEN PURP 35V 100MA UMD2
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Semiconductor de Rohm
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El BAS40,215 |
Diodo SCHOTTKY 40V 120MA hasta 236AB
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Nexperia EE.UU. Inc.
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
DIODE GEN PURP 200V 2A SMA
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En el caso de las
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BAT54WT-7 |
DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOD523
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SOD523
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Diodos incorporados
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APT60D120BG: el equipo de seguridad |
DIODE GP 1.2KV 60A TO247
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Tecnología de microchips
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RB520SM-30T2R, para el cual se utiliza el código RB520SM-30T2. |
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2
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Semiconductor de Rohm
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
DIODE SCHOTTKY 40V 1A DSN1006-2
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Nexperia EE.UU. Inc.
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BAV19WS-7-F. El equipo de seguridad |
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323
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Diodos incorporados
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El uso de la tecnología de la información no es compatible con la normativa. |
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323
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En el caso de las
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1PS76SB70, y115 |
DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOD323
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Nexperia EE.UU. Inc.
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El número de unidades de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control. |
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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Se trata de un sistema de gestión de la seguridad. |
DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
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Panjit Internacional Inc.
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DST2080S |
DIODE SCHOTTKY 80V 20A TO277B
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Es el nombre de la compañía.
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BAV20W-7-F |
Se trata de un sistema de transmisión de datos basado en datos.
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Diodos incorporados
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
DIODE AVALANCHE 1.5KV 3A SOD64
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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BAV103-GS08 y sus derivados |
DIODE GP 200V 250MA SOD80
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
Diodo gen PURP 800V 1A SMA
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Diodos incorporados
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RB751V40, para el cual se utiliza el código RB751V40.115 |
DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOD323
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Nexperia EE.UU. Inc.
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FPAC
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STMicroelectrónica
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PDS760Q-13 Las demás: |
DIODE SCHOTTKY 60V 7A POWERDI5
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Diodos incorporados
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Se aplicará el método de evaluación de los resultados de la evaluación. |
DIODE SCHOTTKY 45V 10A CFP15
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Nexperia EE.UU. Inc.
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Las condiciones de las pruebas de ensayo se especifican en el punto 6.2. |
Diodo SCHOTTKY 30V 5.5A DPAK, para el cual se utiliza el DPAK.
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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SGL41-40-E3/96 Las demás |
DIODE SCHOTTKY 40V 1A GL41
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
DIODE GEN PURP 200V 3A DPAK
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En el caso de las
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Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de las categorías M1 y M2. |
DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
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Diodos incorporados
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Las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo deberán ser realizadas en el lugar de ensayo. |
DIODE GEN PURP 200V 2A DO221AC
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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DFLS260Q-7: el sistema de control de las emisiones de gases de escape |
DIODE SCHOTTKY 60V 2A PWRDI123
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Diodos incorporados
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BAS16W,115 |
DIODE GEN PURP 100V 175MA SOT323
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Nexperia EE.UU. Inc.
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FDLL4148 |
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD80
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En el caso de las
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Las condiciones de los vehículos de las categorías M1 y M2 serán las siguientes: |
DIODE SCHOTTKY 60V 5A PMDTM
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Semiconductor de Rohm
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1N5806US |
DIODE GEN PURP 150V 1A D-5A
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Tecnología de microchips
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