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Transistores bipolares - BJT

Imagenparte #DescripciónfabricanteComúnRFQ
2SC2412KT146R

2SC2412KT146R

Transistores bipolares - BJT NPN 50V 0,15A
Semiconductor de Rohm
Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán cumplirse en todos los casos.

Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán cumplirse en todos los casos.

Transistores bipolares - BJT BIP PNP 5A 20V
En el caso de las
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos

Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos

Transistores bipolares - poder medio de BJT NPN
Diodos incorporados
2SC5200-O (Q)

2SC5200-O (Q)

Transistores bipolares - BJT NPN 230V 15A
toshiba
BCW66HTA

BCW66HTA

Transistores bipolares - BJT NPN baja saturación
Diodos incorporados
MMBT3906-7-F

MMBT3906-7-F

Transistores bipolares - BJT 40V 300mW
Diodos incorporados
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Transistores bipolares - BJT 40V 150mW
Diodos incorporados
FZT651TA

FZT651TA

Transistores bipolares - poder medio de BJT NPN
Diodos incorporados
FZT857TA

FZT857TA

Transistores bipolares - BJT NPN de alto voltaje
Diodos incorporados
ZXTN2010ZTA

ZXTN2010ZTA

Transistores bipolares - BJT 60V NPN Med de energía
Diodos incorporados
PZT2222AT1G

PZT2222AT1G

Transistores bipolares - BJT 600mA 75V NPN
En el caso de las
MJD45H11-1G

MJD45H11-1G

Transistores bipolares - BJT 8A 80V 20W PNP
En el caso de las
MMBTA42-7-F

MMBTA42-7-F

Transistores bipolares - BJT 300V 300mW
Diodos incorporados
FZT657TA

FZT657TA

Transistores bipolares - BJT NPN de alto voltaje
Diodos incorporados
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Transistores bipolares - BJT 200mA 60V NPN
En el caso de las
Se trata de una prueba de la calidad de los productos.

Se trata de una prueba de la calidad de los productos.

Transistores bipolares - BJT PNP de potencia media
Diodos incorporados
2SA1837

2SA1837

Transistores bipolares - BJT PNP - 230 V -1A 20 W
toshiba
FZT653TA

FZT653TA

Transistores bipolares - poder medio de BJT NPN
Diodos incorporados
FZT851TA

FZT851TA

Transistores bipolares - BJT NPN de alta corriente
Diodos incorporados
2SA1774EBTLR: el sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero y de los gases de efecto invernadero

2SA1774EBTLR: el sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero y de los gases de efecto invernadero

Transistores bipolares - BJT TRANS GP BJT PNP 50V 0,15A 3-P
Semiconductor de Rohm
SST3904T116

SST3904T116

Transistores bipolares - BJT 40V 20MA
Semiconductor de Rohm
2SC4672T100Q

2SC4672T100Q

Transistores bipolares - BJT NPN 50V 3A
Semiconductor de Rohm
BCP56T1G

BCP56T1G

Transistores bipolares - BJT 1A NPN de 100 V
En el caso de las
Se trata de una serie de medidas que se aplican a las personas físicas.

Se trata de una serie de medidas que se aplican a las personas físicas.

Transistores bipolares - BJT NPN 40V 0.6A
Semiconductor de Rohm
2SD1733TLR, el cual es el siguiente:

2SD1733TLR, el cual es el siguiente:

Transistores bipolares - BJT NPN 80V 1A
Semiconductor de Rohm
2SC3906KT146R, incluidos los demás

2SC3906KT146R, incluidos los demás

Transistores bipolares - BJT NPN 120V 50MA
Semiconductor de Rohm
2SA1037AKT146Q

2SA1037AKT146Q

Transistores bipolares - BJT PNP 50V 0,15A
Semiconductor de Rohm
DSC7101R0L

DSC7101R0L

Transistores bipolares - BJT BIPLR PW TRANS PLATO con plomo de 4,5x4,0 mm
Las máquinas de la clase Panasonics
2SB1260T100Q: las condiciones de las mismas son las siguientes:

2SB1260T100Q: las condiciones de las mismas son las siguientes:

Transistores bipolares - BJT PNP 80V 1A SO-89
Semiconductor de Rohm
2SD1898T100R: el número de unidad

2SD1898T100R: el número de unidad

Transistores bipolares - BJT NPN 80V 1A
Semiconductor de Rohm
2SC4061KT146N: el contenido de agua en el agua

2SC4061KT146N: el contenido de agua en el agua

Transistores bipolares - BJT NPN 300V 100MA
Semiconductor de Rohm
2SD2351T106W: el número de unidades

2SD2351T106W: el número de unidades

Transistores bipolares - BJT NPN 50V 150MA
Semiconductor de Rohm
2SB1197KT146R. El número de unidades de seguridad de las que se trate.

2SB1197KT146R. El número de unidades de seguridad de las que se trate.

Transistores bipolares - BJT PNP 32V 0.8A
Semiconductor de Rohm
DSC2001R0L

DSC2001R0L

Transistores bipolares - BJT SM SIG TRANS GL WNG 2.9x2.8mm
Las máquinas de la clase Panasonics
2SD1664T100R

2SD1664T100R

Transistores bipolares - BJT NPN 32V 1A
Semiconductor de Rohm
Se trata de:

Se trata de:

Transistores bipolares - BJT NPN doble 12V 500MA
Semiconductor de Rohm
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo

Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo

Transistores bipolares - BJT PNP de alta ganancia
Diodos incorporados
2DB1188Q-13

2DB1188Q-13

Transistores bipolares - BJT 1000W -32Vceo
Diodos incorporados
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Transistores bipolares - Transistores de montaje de superficie PNP BJT
Diodos incorporados
2SA1774

2SA1774

Transistores bipolares - BJT PNP 50V 0,15A SOT-416
Semiconductor de Rohm
2SA1036KT146R. Los componentes de las máquinas de ensayo y de las máquinas de ensayo

2SA1036KT146R. Los componentes de las máquinas de ensayo y de las máquinas de ensayo

Transistores bipolares - BJT PNP 32V 0,5A
Semiconductor de Rohm
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Transistores bipolares - BJT -40V 150mW
Diodos incorporados
MJE253G

MJE253G

Transistores bipolares - BJT 4A 100V 15W PNP
En el caso de las
2SC4617TLQ: las condiciones de las condiciones de trabajo

2SC4617TLQ: las condiciones de las condiciones de trabajo

Transistores bipolares - BJT NPN 50V 0,15A SOT-416
Semiconductor de Rohm
2SCR514P5T100

2SCR514P5T100

Transistores bipolares - BJT NPN 80V Vceo 700mA Ic MPT3
Semiconductor de Rohm
MMBTA92LT1G

MMBTA92LT1G

Transistores bipolares - BJT 500mA 300V PNP
En el caso de las
BCP53-16T1G

BCP53-16T1G

Transistores bipolares - BJT 1.5A 100V PNP
En el caso de las
MMBT3904-7-F

MMBT3904-7-F

Transistores bipolares - BJT 40V NPN SS Trans 60Vceo 6Vebo 200mA
Diodos incorporados
El número de unidades de producción de los productos incluidos en el anexo I.

El número de unidades de producción de los productos incluidos en el anexo I.

Transistores bipolares - BJT BCP53-16T/SC-73/REEL 7" Q1/T1
Nexperia
DXT2012P5-13

DXT2012P5-13

Transistores bipolares - BJT TRANS BIPÓLARES, PNP 60V-, 5,5A
Diodos incorporados
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