Tecnologías Infineon
- Introducción
- Los productos más nuevos
Introducción
Tecnologías Infineon
El 1 de abril de 1999, Siemens Semiconductors se convirtió en Infineon Technologies, una empresa dinámica y flexible orientada al éxito en el competitivo y cambiante mundo de la microelectrónica. Infineon es un diseñador, fabricante y proveedor global líder de una amplia gama de semiconductores utilizados en diversas aplicaciones microelectrónicas.La cartera de productos de Infineon consta de productos lógicos, incluidos los circuitos integrados digitales, de señal mixta y analógicos, así como los productos de semiconductores discretos.
Los productos más nuevos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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IPA60R380E6 |
MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6 y otros dispositivos de energía eléctrica
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Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
El número de unidades de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga ser
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2 y sus componentes
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Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en la base de datos de los Estados miembros. |
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS y otros sistemas de transmisión de energía
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IPW65R150CFD |
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3 para el uso en las instalaciones de producción
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 COOLMOS C6
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IPW65R110CFD |
MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2 y otros componentes de la tecnología de la información
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7 y otros dispositivos de transmisión
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BSC0906NS |
MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS y otros componentes de la misma
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Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de las categorías A y B. |
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8 Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inv
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El número de unidades de producción será el siguiente: |
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
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SPW47N60C3 |
MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 COOLMOS C3 y otros componentes de la misma
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IRFS4410ZTRLPBF |
MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la seña
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IPA60R400CE |
MOSFET N-CH 600V hasta 220-3
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IPD25N06S4L-30 |
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
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SPA17N80C3 |
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFETOS MOSFETOS diferenciados
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BSC028N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 y el resto de los componentes
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IPW60R070P6 |
MOSFET alto precio de potencia / rendimiento
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BSC040N10NS5 |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de los residuos.
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Se trata de un documento de identificación de la empresa. |
MOSFET Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC
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IRFS4227TRLPBF |
MOSFET MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg
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IPP65R190CFD |
MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO220-3 CoolMOS CFD2 y otros componentes de la tecnología
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 y sus componentes
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SPA20N60C3 |
MOSFET N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3 y otros componentes de la misma
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IRFP4110PBF |
MOSFET MOSFT 100V 168A 4.6mOhm 152nC Qg y también
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Se trata de una prueba de la eficacia de los medicamentos. |
MOSFET N-Ch 650V 63.3A TO247-3 para el uso en las instalaciones de las empresas de telecomunicacione
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-Ch 600V 16.4A ThinPAK-4 CoolMOS CP y otros sistemas de transmisión de energía
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BSC010N04LS |
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
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Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea |
MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS y otros sistemas de transmisión de energía
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