El número de unidades de carga
fabricante:
Tecnología Yangjie
Descripción:
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Arrays de transistores bipolar
Corriente - colector (Ic) (máximo):
150 mA
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
NPN, PNP
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Frecuencia - Transición:
180MHz, 140MHz
paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
Las emisiones de gases de efecto invernadero se aplican a las emisiones de gases de efecto invernade
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de la SOT-363.
El Sr.:
Tecnología Yangjie
Corriente - límite del colector (máximo):
100nA (ICBO)
Potencia - máximo:
150 mW
Envase / estuche:
Se aplicará el procedimiento de evaluación de la compatibilidad con el mercado.
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
120 @ 1mA, 6V
Número del producto de base:
Se trata de la UMZ1
Introducción
NPN, PNP 50V 150mA 180MHz, 140MHz 150mW Montaje de superficie SOT-363
Productos relacionados
Se trata de una serie de medidas de seguridad.
Transistors - Bipolar (BJT) - Si
El número de unidades de producción
SOT-363 PNP+PNP 0.2W -0.1A -80V
Las demás partidas
SOT-363 NPN+NPN 0.3W 0.1A 80V Tr
BC847BS
SOT-363 NPN+NPN 0.3W 0.1A 50V Tr
| Imagen | parte # | Descripción | |
|---|---|---|---|
|
|
Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
Transistors - Bipolar (BJT) - Si
|
|
|
|
El número de unidades de producción |
SOT-363 PNP+PNP 0.2W -0.1A -80V
|
|
|
|
Las demás partidas |
SOT-363 NPN+NPN 0.3W 0.1A 80V Tr
|
|
|
|
BC847BS |
SOT-363 NPN+NPN 0.3W 0.1A 50V Tr
|
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: