El número de unidades de producción
fabricante:
Tecnología Yangjie
Descripción:
El valor de las emisiones de dióxido de carbono se calcula en función de las emisiones de dióxido de
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Arrays de transistores bipolar
Corriente - colector (Ic) (máximo):
El valor de las emisiones
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
2 PNP (doble)
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Frecuencia - Transición:
100 MHz
paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
650mV @ 5mA, 100mA
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
65V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de la SOT-363.
El Sr.:
Tecnología Yangjie
Corriente - límite del colector (máximo):
15nA (ICBO)
Potencia - máximo:
200mw
Envase / estuche:
Se aplicará el procedimiento de evaluación de la compatibilidad con el mercado.
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
200 @ 2mA, 5V
Número del producto de base:
BC856
Introducción
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 100MHz 200mW Montaje de superficie SOT-363
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Se trata de una serie de medidas de seguridad.
Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Las demás partidas
SOT-363 NPN+NPN 0.3W 0.1A 80V Tr
BC847BS
SOT-363 NPN+NPN 0.3W 0.1A 50V Tr
El número de unidades de carga
SOT-363 NPN+PNP 0.2W 0.15A 60 -6
| Imagen | parte # | Descripción | |
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Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
Transistors - Bipolar (BJT) - Si
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Las demás partidas |
SOT-363 NPN+NPN 0.3W 0.1A 80V Tr
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BC847BS |
SOT-363 NPN+NPN 0.3W 0.1A 50V Tr
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El número de unidades de carga |
SOT-363 NPN+PNP 0.2W 0.15A 60 -6
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