Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
fabricante:
Semiconductor de Samsung
Descripción:
Especificación de la DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM
Categoría:
Semiconductores
Especificaciones
paquete:
BGA
Categoría de productos:
Interfaces de memoria
Fabricante:
semiconductor de Samsung
Introducción
El K4B4G0846Q-HYK0, de Samsung semiconductor, es IC de memoria. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
Productos relacionados
K9F4G08U0B-PCB0
512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory
Se aplicarán los siguientes requisitos:
64Mb K-die SDRAM
Los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.
256M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9K8G08U0A-PIB0
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
Los datos de los datos de los Estados miembros son los siguientes:
Memory IC
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free
K4H511638J-LCCC
512Mb C-die DDR SDRAM Specification
Los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.
1Gb E-die NAND Flash
K4W1G1646E-HC12
Graphic Memory
K4T1G084QF-BCF7
1Gb F-die DDR2 SDRAM
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: