Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Especificaciones
paquete:
FBGA-96
Categoría de productos:
Interfaces de memoria
Fabricante:
semiconductor de Samsung
Introducción
El K4B2G1646F-BCK0, de Samsung semiconductor, es IC de memoria. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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256M x 8 Bit NAND Flash Memory

K9K8G08U0A-PIB0
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory

Los datos de los datos de los Estados miembros son los siguientes:
Memory IC

K4H511638J-LCCC
512Mb C-die DDR SDRAM Specification

Los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.
1Gb E-die NAND Flash

K4W1G1646E-HC12
Graphic Memory

K4T1G084QF-BCF7
1Gb F-die DDR2 SDRAM

K4B4G1646D-BCMA
4Gb B-die DDR3 SDRAM Olny x16
Imagen | parte # | Descripción | |
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K9F4G08U0B-PCB0 |
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Se aplicarán los siguientes requisitos: |
64Mb K-die SDRAM
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Los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad. |
256M x 8 Bit NAND Flash Memory
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K9K8G08U0A-PIB0 |
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
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Los datos de los datos de los Estados miembros son los siguientes: |
Memory IC
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K4H511638J-LCCC |
512Mb C-die DDR SDRAM Specification
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Los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad. |
1Gb E-die NAND Flash
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K4W1G1646E-HC12 |
Graphic Memory
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K4T1G084QF-BCF7 |
1Gb F-die DDR2 SDRAM
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K4B4G1646D-BCMA |
4Gb B-die DDR3 SDRAM Olny x16
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