IRF7240TRPBF
fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-SOIC y el resto de los componentes
Categoría:
Semiconductores
Especificaciones
Categoría de productos:
MOSFET
Vgs (máximo):
± 20 V
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
10.5A (TA)
@ qty:
0
Tipo de FET:
P-canal
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
110nC @ 10V
Fabricante:
Tecnologías Infineon
Cantidad mínima:
4000
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
4.5V y 10V
Factory Stock:
0
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Característica del FET:
-
Serie:
HEXFET®
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
Las emisiones de dióxido de carbono se calcularán de acuerdo con el método siguiente:
Paquete de dispositivos del proveedor:
8 SO
Estado de las partes:
Actividad
embalaje:
Cintas y bobinas (TR)
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de e
Disipación de poder (máxima):
2.5W (TA)
Envase / estuche:
8-SOIC (0.154" , anchura de 3.90m m)
Tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (máximo) @ Id:
3V @ 250µA
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
40 V
Introducción
El IRF7240TRPBF,de Infineon Technologies,es MOSFET.Lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado mundial,que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
Productos relacionados
IPA60R380E6
MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6
Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8
Se aplicará el procedimiento de ensayo.
MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2
Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en la base de datos de los Estados miembros.
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
IPW65R150CFD
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3
Se aplicará el procedimiento siguiente:
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
IPW65R110CFD
MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2
Se aplicará el procedimiento siguiente:
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
BSC0906NS
MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de las categorías A y B.
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
El número de unidades de producción será el siguiente:
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
SPW47N60C3
MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
IRFS4410ZTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
IPA60R400CE
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
IPD25N06S4L-30
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
SPA17N80C3
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
Se aplicará el procedimiento siguiente:
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
BSC028N06NS
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
IPW60R070P6
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
BSC040N10NS5
MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8
Se trata de un documento de identificación de la empresa.
MOSFET Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC
IRFS4227TRLPBF
MOSFET MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg
IPP65R190CFD
MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO220-3 CoolMOS CFD2
Se aplicará el procedimiento siguiente:
MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2
SPA20N60C3
MOSFET N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3
IRFP4110PBF
MOSFET MOSFT 100V 168A 4.6mOhm 152nC Qg
Se trata de una prueba de la eficacia de los medicamentos.
MOSFET N-Ch 650V 63.3A TO247-3
Se aplicará el procedimiento siguiente:
MOSFET N-Ch 600V 16.4A ThinPAK-4 CoolMOS CP
BSC010N04LS
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea
MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
| Imagen | parte # | Descripción | |
|---|---|---|---|
|
|
IPA60R380E6 |
MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6
|
|
|
|
Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
|
|
|
Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en la base de datos de los Estados miembros. |
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
|
|
|
|
IPW65R150CFD |
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
|
|
|
|
IPW65R110CFD |
MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
|
|
|
|
BSC0906NS |
MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
|
|
|
|
Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de las categorías A y B. |
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
|
|
|
|
El número de unidades de producción será el siguiente: |
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
|
|
|
|
SPW47N60C3 |
MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
|
|
|
|
IRFS4410ZTRLPBF |
MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
|
|
|
|
IPA60R400CE |
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
|
|
|
|
IPD25N06S4L-30 |
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
|
|
|
SPA17N80C3 |
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
|
|
|
|
BSC028N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
|
|
|
|
IPW60R070P6 |
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
|
|
|
|
BSC040N10NS5 |
MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8
|
|
|
|
Se trata de un documento de identificación de la empresa. |
MOSFET Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC
|
|
|
|
IRFS4227TRLPBF |
MOSFET MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg
|
|
|
|
IPP65R190CFD |
MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO220-3 CoolMOS CFD2
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2
|
|
|
|
SPA20N60C3 |
MOSFET N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3
|
|
|
|
IRFP4110PBF |
MOSFET MOSFT 100V 168A 4.6mOhm 152nC Qg
|
|
|
|
Se trata de una prueba de la eficacia de los medicamentos. |
MOSFET N-Ch 650V 63.3A TO247-3
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-Ch 600V 16.4A ThinPAK-4 CoolMOS CP
|
|
|
|
BSC010N04LS |
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
|
|
|
|
Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea |
MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
|
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: