Se aplicará el procedimiento de evaluación de los resultados de los ensayos.
fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
MOSFET N-CH 80V TO263-3 y otros
Categoría:
Semiconductores
Especificaciones
Categoría de productos:
MOSFET
Vgs (máximo):
± 20 V
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
120A (Tc)
@ qty:
0
Tipo de FET:
N-canal
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el valor de las emisiones de dióxido de carbono
Fabricante:
Tecnologías Infineon
Cantidad mínima:
1000
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
6V, 10V
El stock de la fábrica:
0
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Característica del FET:
-
Serie:
OptiMOS™
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
Se aplicarán los siguientes requisitos:
Paquete de dispositivos del proveedor:
² PAK (TO-263AB) DE D
Estado de las partes:
Actividad
embalaje:
Cintas y bobinas (TR)
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
3.1 mOhm @ 100A, 10V
Disipación de poder (máxima):
167W (Tc)
Envase / estuche:
TO-263-3, D2Pak (2 plumas + pestaña), TO-263AB
Tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (máximo) @ Id:
3.8V @ 108μA
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Introducción
El IPB031N08N5ATMA1, de Infineon Technologies, es MOSFET. lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado mundial, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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