IRF200P222
fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 182A hasta 247AC
Categoría:
Semiconductores
Especificaciones
Categoría de productos:
MOSFET
Vgs (máximo):
± 20 V
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
@ qty:
0
Tipo de FET:
N-canal
Tipo de montaje:
A través del agujero
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
Las emisiones de CO2 de las centrales eléctricas
Fabricante:
Tecnologías Infineon
Cantidad mínima:
1
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
El stock de la fábrica:
0
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Característica del FET:
-
Serie:
StrongIRFETTM
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de la temperatura de la atmósf
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-247AC
Estado de las partes:
Actividad
embalaje:
El tubo
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
6.6 mOhm @ 82A, 10V
Disipación de poder (máxima):
556W (Tc)
Envase / estuche:
TO-247-3
Tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (máximo) @ Id:
4V @ 270μA
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Introducción
El IRF200P222, de Infineon Technologies, es un MOSFET. Lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado mundial, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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