Se aplicarán los siguientes requisitos:
fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23: el contenido de los componentes de los componentes de los componentes de l
Categoría:
Semiconductores
Especificaciones
Categoría de productos:
MOSFET
Vgs (máximo):
± 20 V
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
2A (TA)
@ qty:
0
Tipo de FET:
P-canal
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
5nC @ 10V
Fabricante:
Tecnologías Infineon
Cantidad mínima:
3000
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
4.5V y 10V
El stock de la fábrica:
0
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Característica del FET:
-
Serie:
OptiMOS™
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
500 pF @ 15V
Paquete de dispositivos del proveedor:
El SOT-23-3
Estado de las partes:
Actividad
embalaje:
Cintas y bobinas (TR)
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
80 mOhm @ 2A, 10V
Disipación de poder (máxima):
500mW (TA)
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (máximo) @ Id:
2V @ 11μA
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Introducción
El BSS308PEH6327XTSA1, de Infineon Technologies, es un MOSFET. Lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado mundial, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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