IRF7380TRPBF
fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
Categoría:
Semiconductores
Especificaciones
Paquete de dispositivos del proveedor:
8 SO
Categoría de productos:
MOSFET
El stock de la fábrica:
0
Cantidad mínima:
4000
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
660pF @ 25V
Envase / estuche:
8-SOIC (0.154" , anchura de 3.90m m)
Estado de las partes:
Actividad
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
3.6A
embalaje:
Cintas y bobinas (TR)
@ qty:
0
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de FET:
Canal N 2 (dual)
Característica del FET:
Puerta del nivel de la lógica
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el valor de las emisiones de dióxido de carbono
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable es el valor de las emisiones
Potencia - máximo:
2W
Vgs(th) (máximo) @ Id:
4V @ 250µA
Serie:
HEXFET®
Fabricante:
Tecnologías Infineon
Introducción
El IRF7380TRPBF,de Infineon Technologies,es MOSFET.Lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado mundial,que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
Related Products
IPA60R380E6
MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6
Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8
Se aplicará el procedimiento de ensayo.
MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2
Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en la base de datos de los Estados miembros.
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
IPW65R150CFD
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3
Se aplicará el procedimiento siguiente:
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
IPW65R110CFD
MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2
Se aplicará el procedimiento siguiente:
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
BSC0906NS
MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de las categorías A y B.
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
| Imagen | parte # | Descripción | |
|---|---|---|---|
|
|
IPA60R380E6 |
MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6
|
|
|
|
Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
|
|
|
Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en la base de datos de los Estados miembros. |
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
|
|
|
|
IPW65R150CFD |
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
|
|
|
|
IPW65R110CFD |
MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
|
|
|
|
BSC0906NS |
MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
|
|
|
|
Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de las categorías A y B. |
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
|
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: