Se aplicará el procedimiento siguiente:
fabricante:
Nexperia EE.UU. Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 3.7A TO236AB Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inve
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
900mV a 250µA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
12 nC @ 4,5 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
Tipo de FET:
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
1.8V, 4.5V
paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Vgs (máximo):
±12V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
635 pF @ 15 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Serie:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
El Sr.:
Nexperia EE.UU. Inc.
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
3.7A (TA)
Disipación de poder (máxima):
490 mW (Ta)
Tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
PMV40UN2
Introducción
N-Canal 30 V 3.7A (Ta) 490mW (Ta) Montado en la superficie TO-236AB
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