Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
FET Feature:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
3.6V @ 1mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Envase / estuche:
SC-100, SOT-669
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
26 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
7mOhm @ 15A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
40 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1630 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q101
Supplier Device Package:
LFPAK56, Power-SO8
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
68A (Ta)
Power Dissipation (Max):
64W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
BUK7Y7
Introducción
El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utilizará en el caso de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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