BSS138P,215
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TA)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
0.8 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.6Ohm @ 300mA, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Estado del producto:
Actividad
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
50 pF @ 10 V
Tipo de montaje:
Instalación en la superficie
Series:
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
Se aplicarán los siguientes requisitos:
Power Dissipation (Max):
350mW (Ta), 1.14W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
BSS138
Introducción
N-Canal 60 V 360mA (Ta) 350mW (Ta), 1.14W (Tc) Montaje de superficie TO-236AB
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