Se aplicará el método de ensayo.
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
FET Type:
P-Channel
FET Feature:
-
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Series:
TrenchMOS™
Vgs (Max):
±25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
15 nC @ 10 V
Supplier Device Package:
TO-236AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
365mOhm @ 1.2A, 10V
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
549 pF @ 50 V
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Power Dissipation (Max):
710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
1.2A (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
PMV240
Introducción
P-Canal 100 V 1.2A (Ta) 710mW (Ta), 8.3W (Tc) Montaje de superficie TO-236AB
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