El SSM3J328R, LF
fabricante:
Toshiba Semiconductor y almacenamiento
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Característica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
Package / Case:
SOT-23-3 Flat Leads
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
12.8 nC @ 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Tipo de FET:
P-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
1.5V, 4.5V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Vgs (Max):
±8V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
840 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
U-MOSVI
Supplier Device Package:
SOT-23F
Mfr:
Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
6A (Ta)
Power Dissipation (Max):
1W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SSM3J328
Introducción
Se aplicará el método de medición de la velocidad de salida.
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