El SSM3J332R, LF
fabricante:
Toshiba Semiconductor y almacenamiento
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.2V @ 1mA
Operating Temperature:
150°C (TJ)
Envase / estuche:
Ventajas planas SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
8.2 nC @ 4.5 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
42 mOhm @ 5A, 10V
FET Type:
P-Channel
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
1.8V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±12V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
560 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
U-MOSVI
Supplier Device Package:
SOT-23F
Mfr:
Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
6A (Ta)
Power Dissipation (Max):
1W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SSM3J332
Introducción
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero en el caso de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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