2N7002NXAKR
fabricante:
Nexperia EE.UU. Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB y el resto de los componentes
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.1V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
0.43 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
4.5Ohm @ 100mA, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
20 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
Las condiciones de ensayo de los componentes de la unidad de ensayo de la unidad de ensayo deberán s
Power Dissipation (Max):
265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Base Product Number:
2N7002
Introducción
N-Canal 60 V 190mA (Ta), 300mA (Tc) 265mW (Ta), 1.33W (Tc) Montaje de superficie TO-236AB
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