TP2510N8-G
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.4V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
125 pF @ 25 V
Series:
-
Vgs (Max):
±20V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Supplier Device Package:
TO-243AA (SOT-89)
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
3.5 Ohm @ 750 mA, 10 V
Mfr:
Microchip Technology
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
FET Type:
P-Channel
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
Power Dissipation (Max):
1.6W (Ta)
Envase / estuche:
TO-243AA
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
480mA (Tj)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
TP2510
Introducción
Se utilizará para la obtención de datos sobre el nivel de energía de los conductores.
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Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6

El equipo de seguridad de los EE.UU.
MOSFET N-CH 500V 51A ISOTOP

No se puede hacer nada.
MOSFET N-CH 1000V 23A TO264

Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el formulario de solicitud.
MOSFET N-CH 800V 27A TO264
Imagen | parte # | Descripción | |
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Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo |
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
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El equipo de seguridad de los EE.UU. |
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No se puede hacer nada. |
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Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el formulario de solicitud. |
MOSFET N-CH 800V 27A TO264
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