PMV160UP,215
fabricante:
Nexperia EE.UU. Inc.
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 1.2A TO236AB
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
950mV @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
4 nC @ 4.5 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
Las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable se calcularán de acuerdo con el método d
FET Type:
P-Channel
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
1.8V, 4.5V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
20 V
Vgs (Max):
±8V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
365 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-236AB
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
1.2A (Ta)
Power Dissipation (Max):
335mW (Ta), 2.17W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
PMV160
Introducción
P-Canal 20 V 1.2A (Ta) 335mW (Ta), 2.17W (Tc) Montaje de superficie TO-236AB
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