Se aplicará el procedimiento siguiente:
fabricante:
Nexperia EE.UU. Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
950mV @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
SC-101, SOT-883
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
1.4 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Tipo de FET:
N-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
1.5V, 4.5V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Vgs (máximo):
±8V
Product Status:
Active
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
46 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
SOT-883
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
1.2A (Ta)
Power Dissipation (Max):
350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
PMZ290
Introducción
N-Canal 20 V 1.2A (Ta) 350mW (Ta), 5.43W (Tc) Montaje de superficie SOT-883
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