Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
0.49 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2.8Ohm @ 200mA, 10V
FET Type:
N-Channel
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Vgs (Max):
±20V
Estado del producto:
Actividad
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
20.2 pF @ 30 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-236AB
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
265mA (Ta)
Power Dissipation (Max):
310mW (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
BSN20
Introducción
N-canal 60 V 265 mA (Ta) 310 mW (Ta) Montaje de superficie TO-236AB
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