El PMV164ENEAR
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Característica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.7V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
3.8 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
218mOhm @ 1.6A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
110 pF @ 30 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q101
Supplier Device Package:
TO-236AB
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
1.6A (Ta)
Power Dissipation (Max):
640mW (Ta), 5.8W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
PMV164
Introducción
N-Canal 60 V 1.6A (Ta) 640mW (Ta), 5.8W (Tc) Montado en la superficie TO-236AB
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