Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de seguridad.
fabricante:
Nexperia EE.UU. Inc.
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.25V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el siguiente:
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
34mOhm @ 3A, 4.5V
Tipo de FET:
P-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
2.5V, 4.5V
paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Vgs (máximo):
±12V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1465 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q101
Supplier Device Package:
TO-236AB
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
4.5A (Ta)
Power Dissipation (Max):
490mW (Ta), 5.435W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
PMV30
Introducción
P-Canal 20 V 4.5A (Ta) 490mW (Ta), 5.435W (Tc) Montaje de superficie TO-236AB
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