Se aplicará el método de ensayo.
fabricante:
Nexperia EE.UU. Inc.
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 3.6A TO236AB
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
900mV @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
12 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
60mOhm @ 3.6A, 4.5V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
1.5V, 4.5V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
20 V
Vgs (Max):
±12V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
744 pF @ 20 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-236AB
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
3.6A (Ta)
Power Dissipation (Max):
490mW (Ta), 4.63W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
PMV50
Introducción
P-Canal 20 V 3.6A (Ta) 490mW (Ta), 4.63W (Tc) Montaje de superficie TO-236AB
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