Se aplicará el método de ensayo.
fabricante:
Nexperia EE.UU. Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inve
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
900mV @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
18.6 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
23mOhm @ 5.7A, 4.5V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
1.8V, 4.5V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±12V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1150 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
5.7A (TA)
Power Dissipation (Max):
510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Base Product Number:
PMV20
Introducción
N-Canal 30 V 5.7A (Ta) 510mW (Ta), 6.94W (Tc) Montaje de superficie TO-236AB
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