BUK9Y25-60E,115
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
FET Feature:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
2.1V @ 1mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Envase / estuche:
SC-100, SOT-669
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
12 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
21.5mOhm @ 10A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
5V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±10V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1500 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Supplier Device Package:
LFPAK56, Power-SO8
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
34A (Tc)
Power Dissipation (Max):
65W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
BUK9Y25
Introducción
El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utilizará para determinar el nivel de emisiones de gases de efecto invernadero.
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