Se aplicarán los siguientes requisitos:
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
Schottky Diode (Body)
Vgs(th) (Max) @ Id:
3.6V @ 1mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
SC-100, SOT-669
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
99 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.5mOhm @ 25A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
40 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
7752 pF @ 20 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchMOS™
Supplier Device Package:
LFPAK56, Power-SO8
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
240A (Ta)
Power Dissipation (Max):
238W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Número del producto de base:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de CO2
Introducción
N-canal 40 V 240A (Ta) 238W (Ta) Montaje de superficie LFPAK56, potencia-SO8
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