STP110N8F6
fabricante:
STMicroelectrónica
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 110A TO220
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
150 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
6.5mOhm @ 55A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
80 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
9130 pF @ 40 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
STripFET™ F6
Supplier Device Package:
TO-220
Mfr:
STMicroelectronics
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
110A (Tc)
Disipación de poder (máxima):
200W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Número del producto de base:
STP110
Introducción
N-canal 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) a través del agujero TO-220
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