STP20NM60FD
fabricante:
STMicroelectrónica
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
5V @ 250µA
Operating Temperature:
-65°C ~ 150°C (TJ)
Envase / estuche:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
37 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de la temperatura de los gases
FET Type:
N-Channel
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
600 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1300 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
FDmesh™
Supplier Device Package:
TO-220
Mfr:
STMicroelectronics
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
20A (Tc)
Power Dissipation (Max):
192W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
STP20
Introducción
N-canal 600 V 20A (Tc) 192W (Tc) a través del agujero TO-220
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