STP120N4F6
fabricante:
STMicroelectrónica
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
FET Feature:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Envase / estuche:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
65 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
4.3mOhm @ 40A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
40 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
3850 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
Supplier Device Package:
TO-220
Mfr:
STMicroelectronics
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
80A (Tc)
Power Dissipation (Max):
110W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
STP120
Introducción
N-canal 40 V 80A (Tc) 110W (Tc) a través del agujero TO-220
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