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El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:

fabricante:
IXYS
Descripción:
MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
Característica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 4mA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
El contenido de dióxido de carbono en el contenido de dióxido de carbono
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
900mOhm @ 6A, 10V
Tipo de FET:
N-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
900 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
4200 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
HiPerFET™
Supplier Device Package:
TO-247AD (IXFH)
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
12A (Tc)
Power Dissipation (Max):
300W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFH12
Introducción
N-canal 900 V 12A (Tc) 300W (Tc) a través del agujero TO-247AD (IXFH)
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Imagen parte # Descripción
El número de unidades de producción

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Las demás:

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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El número de unidades de producción es el siguiente:

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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Se aplicará el procedimiento siguiente:

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