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El número de unidades de producción es el siguiente:

fabricante:
IXYS
Descripción:
Se aplicará el método de ensayo de la composición de los materiales.
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
6.5V @ 8mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
SOT-227-4, miniBLOC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
195 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
320mOhm @ 16A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
1000 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
9940 pF @ 25 V
Mounting Type:
Chassis Mount
Series:
HiPerFET™, Q3 Class
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de la SOT-227B.
Mfr:
IXYS
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
28A (Tc)
Power Dissipation (Max):
780W (Tc)
Tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Base Product Number:
IXFN32
Introducción
N-Canal 1000 V 28A (Tc) 780W (Tc) Montado del chasis SOT-227B
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Imagen parte # Descripción
El número de unidades de producción

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Las demás:

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor

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El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:

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El número de unidades de la serie IXFH13N50

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El número de unidades de producción es el siguiente:

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
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