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El número de unidades de producción es el siguiente:

fabricante:
IXYS
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 30A más 264
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-264-3, TO-264AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
545 nC @ 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
450mOhm @ 500mA, 20V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
20V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
1000 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
13200 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
Linear
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de CO2
Mfr:
IXYS
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
30A (Tc)
Power Dissipation (Max):
800W (Tc)
Tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Base Product Number:
IXTB30
Introducción
N-canal 1000 V 30A (Tc) 800W (Tc) a través del agujero PLUS264TM
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Imagen parte # Descripción
El número de unidades de producción

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Las demás:

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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

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MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor

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El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:

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El número de unidades de la serie IXFH13N50

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El número de unidades de producción es el siguiente:

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El número de unidades de producción es el siguiente:

El número de unidades de producción es el siguiente:

MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
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