Tecnologías Infineon
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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IPA60R380E6 |
MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6 y otros dispositivos de energía eléctrica
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Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
El número de unidades de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga ser
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2 y sus componentes
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Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en la base de datos de los Estados miembros. |
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS y otros sistemas de transmisión de energía
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IPW65R150CFD |
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3 para el uso en las instalaciones de producción
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 COOLMOS C6
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IPW65R110CFD |
MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2 y otros componentes de la tecnología de la información
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7 y otros dispositivos de transmisión
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BSC0906NS |
MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS y otros componentes de la misma
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Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de las categorías A y B. |
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8 Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inv
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El número de unidades de producción será el siguiente: |
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
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SPW47N60C3 |
MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 COOLMOS C3 y otros componentes de la misma
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IRFS4410ZTRLPBF |
MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la seña
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IPA60R400CE |
MOSFET N-CH 600V hasta 220-3
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IPD25N06S4L-30 |
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
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SPA17N80C3 |
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFETOS MOSFETOS diferenciados
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BSC028N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 y el resto de los componentes
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IPW60R070P6 |
MOSFET alto precio de potencia / rendimiento
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BSC040N10NS5 |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de los residuos.
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Se trata de un documento de identificación de la empresa. |
MOSFET Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC
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IRFS4227TRLPBF |
MOSFET MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg
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IPP65R190CFD |
MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO220-3 CoolMOS CFD2 y otros componentes de la tecnología
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 y sus componentes
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SPA20N60C3 |
MOSFET N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3 y otros componentes de la misma
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IRFP4110PBF |
MOSFET MOSFT 100V 168A 4.6mOhm 152nC Qg y también
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Se trata de una prueba de la eficacia de los medicamentos. |
MOSFET N-Ch 650V 63.3A TO247-3 para el uso en las instalaciones de las empresas de telecomunicacione
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-Ch 600V 16.4A ThinPAK-4 CoolMOS CP y otros sistemas de transmisión de energía
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BSC010N04LS |
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
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Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea |
MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS y otros sistemas de transmisión de energía
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IRFS7530TRLPBF |
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
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IPP023N10N5 |
MOSFET N-Ch 100V 120A TO220-3 y otros componentes de los mismos
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BSC016N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS y otros sistemas de transmisión de energía
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IPD50N04S4-08 |
MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2 y otros componentes de los mismos
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IPA65R660CFD (en inglés) |
MOSFET N-Ch 700V 6A TO220FP CoolMOS CFD2 y otros componentes de la misma
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IRFB7437PBF |
MOSFET 40V 2,0mOhm 195A HEXFET 230W 150nC
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Se aplicará a las empresas de servicios de telecomunicaciones de la Unión. |
MOSFET N-Ch 600V 31A TO247-3 COOLMOS CP y otros sistemas de transmisión de energía
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SPP11N80C3 |
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3 y otros componentes
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-Ch 650V 30A TO220-3 COOLMOS C6
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Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
MOSFETOS MOSFETOS diferenciados
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IPA60R190C6 y sus derivados |
MOSFET N-Ch 600V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS C6 y otros componentes de la misma
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET MV POWER MOS
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Se aplicará el método de clasificación de los productos. |
MOSFET N-Ch 60V 46A TDSON-8 y sus componentes
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET N-Ch 650V 77.5A TO247-3 COOLMOS C6
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Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2. |
MOSFETOS MOSFETOS diferenciados
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Ipw65r045c7 |
MOSFET N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7
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IRFP4868PBF |
MOSFET N-CH 300V 70A a 247AC, para el cual se utiliza el sistema de transmisión de energía
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SPP20N60CFD: el valor de las emisiones de CO2 |
MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO220-3 CoolMOS CFD, para el cual se utiliza el sistema de transmisión de ene
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IPW65R150CFDA |
MOSFET N-Ch 650V 22.4A TO247-3 para el uso en las instalaciones de las empresas de telecomunicacione
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IPA60R190P6 |
MOSFET de alta potencia_PRC/PRFRM
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