	Imagen	parte #	Descripción	fabricante	Común	RFQ
		Las demás sustancias químicas	MOSFET de clase Q3 HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
		Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET 20 Amperios 500V 0,33 Rds
		El número de unidades de seguridad de la aeronave	MOSFET 200 Amperios 100 V 0,0075 Rds
		Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET 50 Amperes 250 V
		IXFP34N65X2	MOSFET 650V/34A Ultra Junction de la clase X2
		Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor y de los vehículos de motor	MOSFET 600V 36A: el número de unidades de energía de la unidad de energía de la unidad de energía
		Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	MOSFET MOSFET 650V / 100A Ultra-junción X2
		El número de unidades de carga de la unidad de carga	MOSFET MOSFET de potencia FBSOA lineal extendido
		Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	MOSFET 44 Amperios 800 V
		Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.	MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
		El número de unidades de producción es:	MOSFET 23 Amperios 800V 0,40 Rds
		El número de unidades de producción es el siguiente:	MOSFET 80 Amperios 500V 0,06 Rds
		Se aplicará el método siguiente:	MOSFET 32 Amperios 500V 0,16 Rds
		El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:	MOSFET 800V 13A: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal
		Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche.	MOSFET 96 Amperios 150V 0.024 Rds
		IXFH170N10P	MOSFET 170 Amperios 100 V 0,009 Rds
		El número de unidades de producción	MOSFET 100V 180A: el número de unidades
		IXFH46N65X2	MOSFET MOSFET 650V / 46A Ultra Junction X2 y otros dispositivos de conexión
		El número de unidades de producción	MOSFET MOSFET Id60 BVdass100
		El número de unidades de producción	MOSFET Potencia de la zanja MOSFETs 200v, 60A
		Se aplican las siguientes medidas:	MOSFET 650V/34A Ultra Junction de la clase X2
		Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	Se aplicará el método de ensayo de la norma de la N-CHAN.
		Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	MOSFET -90.0 Amperios -200V 0.044 Rds
		El número de unidades de producción es el siguiente:	MOSFET 230A 200V
		El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades	MOSFET 32 Amperios 500V 0,15 Rds
		Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET de 500V a 1200V MOSFET de potencia polar
		Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET 74 Amperios 200V 0.034 Rds
		El número de unidades de seguridad de la aeronave	MOSFET 26 Amperios 1200 V
		Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET 500V 16A: el número de unidades de carga de la unidad de carga
		El número de unidades de producción es:	MOSFET L2 MOSFET de potencia lineal
		El número de unidades de producción es el siguiente:	MOSFET 44 Amperios 600 V
		Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán.	MOSFET 200V 180A, para el cual se utiliza el sistema de transmisión de luz
		Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se especifican en el anexo II.	MOSFET 600V 14A
		Las condiciones de los vehículos de las categorías IIa y IIIa	MOSFET 600V 30A: el número de unidades
		Se aplicará a los productos de las categorías IIa, IIIb y IV.	MOSFET -20,0 Amperios -500V 0,450 Rds
		El número de unidades de producción es el siguiente:	MOSFET -96 Amperios -85V 0,013 Rds
		Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET 64,0 Amperios 500 V 0,09 Ohm Rds
		Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.	MOSFET 850V Ultra Junction MOSFET Pwr de clase X
		Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2
		IXYX120N120C3
		IXGT6N170A
		IXGH6N170A
		Se aplicará a los vehículos de las categorías IIa y IIIa.
		IXGH30N120B3D1
		IXGH16N170
		El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades
		DHH55-36N1F
		DPG60C400HB
		DSS2X101-02A: las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo y de los equipos de ensayo	DIODE MODULE 200V 100A SOT227B
		DSA80C100PB: el número de unidad	DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220

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Módulos discretos del semiconductor

Diodos y rectificadores

Los tiristores

transistores

CPLD - Dispositivos de lógica programable complejos

Procesadores - el uso se especializó

Sistema de RF en un chip - SoC

Procesadores y controladores de señal digital - DSP, DSC

FPGA - Memoria de configuración

Microprocesadores - MPU

Sistemas en un chip - SoC

Microcontroladores - MCU

FPGA - Matriz de puertas programables de campo

PIN Diodes

Circuitos integrados de RF

Transistores RF

Sistema de RF en un chip - SoC

SCR

Triac

Diacs, SIDAC y otros

Se aplicarán las siguientes condiciones:

FETs, MOSFETs

Bipolaridad (BJT)

IGBTs

Los JFET

Propósito especial

Diodos del RF

Zener

Capacidad variable (varicaps, variadores)

Rectificadores

Salida analógica y digital

Termistores del PTC

Termóstatos - de estado sólido

DTD (detector de temperatura de resistencia)

Termistores NTC

Interruptores (en estado sólido)

Las medidas de control se aplicarán a las medidas de seguridad de los vehículos.

Posición, proximidad y velocidad (módulos) - Industrial

Compas, campo magnético (módulos)

Sensores de imagen, cámara

Detectores fotográficos - Receptor remoto

Las demás

Los interruptores fotográficos - Tipo de ranura - Salida del transistor

Sensores de luz ambiente, infrarrojos y UV

Los interruptores fotográficos - Tipo de ranura - Salida lógica

Las demás máquinas de la partida 8411

Producción analógica reflectante

Medición de la distancia

Reflexiva - Logic de salida

Detectores fotográficos - Salida lógica

Productos fotovoltaicos, industriales