Filtros
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Semiconductores
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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FDB3632 |
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
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En el caso de las
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FDB075N15A |
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK, para el cual se utiliza el sistema de transmisión de energía
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En el caso de las
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FQP3P50 |
MOSFET P-CH 500V 2.7A hasta 220
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En el caso de las
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor |
MOSFET P-CH 60V de 30A a 220F
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En el caso de las
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STW15NK90Z |
MOSFET N-CH 900V 15A a 247
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STMicroelectrónica
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor y de los vehículos de motor |
MOSFET N CH 600V 77A hasta 247
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En el caso de las
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Se trata del DMN6140LQ-7. |
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 y el resto de los componentes
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de control de la calidad. |
MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6 y sus componentes
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En el caso de las
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FDC654P |
MOSFET P-CH 30V 3.6A SSOT-6 y sus componentes
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En el caso de las
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DMP3056LSS-13 |
MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-SOIC, para el cual se utilizará el módulo MOSFET
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Diodos incorporados
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Las condiciones de los vehículos de las categorías A y B son las siguientes: |
MOSFET N-CH 100V SOT-223-4: las emisiones de gases de efecto invernadero y de gases de efecto invern
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En el caso de las
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DMN6040SVT-7 |
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad.
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Diodos incorporados
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FDS9431A: el número de unidades |
MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC, para el cual se utiliza un sistema de control de velocidad.
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En el caso de las
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DMP4050SSS-13 y sus componentes |
MOSFET P-CH 40V 4.4A 8SO
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Diodos incorporados
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FDD6N20TM |
MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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En el caso de las
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NTD20P06LT4G |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de los residuos.
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En el caso de las
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FDD8896 y sus derivados |
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK y sus componentes
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En el caso de las
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FQD12N20LTM |
Se aplicará el método de ensayo de los componentes de la máquina.
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET N-CH 50V 16A hasta 252AA
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En el caso de las
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FCD5N60TM |
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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En el caso de las
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FDS3580: el número de unidades |
MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC y otros componentes
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En el caso de las
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IRLI540NPBF (en inglés) |
MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP, para el cual se utiliza el sistema de transmisión de energía
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Tecnologías Infineon
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Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
MOSFET N-CH 650V 58A a 247
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STMicroelectrónica
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IRL40SC228 |
MOSFET N-CH 40V 557A D2PAK: el contenido de los componentes de los componentes de los componentes de
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Tecnologías Infineon
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ST3232BDR |
El sistema de control de la velocidad de la señal será el siguiente:
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STMicroelectrónica
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ST3232BTR |
IC DRVR/RCVR RS232 LP 16-TSSOP
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STMicroelectrónica
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
IC RS485/422 receptor SOT23-6
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Maxim integrado
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MAX3280EAUK+T |
IC RS485/422 receptor SOT23-5
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Maxim integrado
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AM26LV32EIPWR |
Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo deberán estar disponibles en la base
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Las acciones de Texas Instruments
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KSZ8081MNXCA-TR |
ETHERNET 32QFN DE IC TXRX
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Tecnología de microchips
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MCP2551-I/P |
El sistema de transmisión de circuitos interactivos puede ser HI-SPD 8-DIP
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Tecnología de microchips
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STV270N4F3 |
MOSFET N-CH 40V 270A POWERSO-10 y el resto de los componentes
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STMicroelectrónica
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SP3072EEN-L/TR |
IC TXRX RS485/RS422 ESD 8SOIC
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MaxLinear, Inc. Es una empresa de servicios de telecomunicaciones.
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LAN8742AI-CZ |
IC TXRX ETHERNET 100MBPS 24QFN
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Tecnología de microchips
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Se aplicará el método de ensayo de los datos de los datos de los Estados miembros. |
IC TXRX RS422/485 20MBPS 10DFN
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MaxLinear, Inc. Es una empresa de servicios de telecomunicaciones.
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IRF7854TRPBF |
MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC y sus componentes
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Tecnologías Infineon
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Las condiciones de las pruebas de seguridad se especifican en el anexo II. |
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Las condiciones de los sistemas de transmisión de circuitos integrados se determinarán en función de
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Maxim integrado
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MAX487EESA+T |
IC TXRX RS485/RS422 8-SOIC
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Maxim integrado
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IRL7472L1TRPBF |
MOSFET N-CH 40V 375A: el número de unidades de energía de la unidad de energía de la unidad de energ
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Tecnologías Infineon
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MAX3430ESA+T |
IC TXRX RS-485 3.3V 8-SOIC, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad.
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Maxim integrado
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
IC TXRX RS232/485 PROG 28TSSOP y el resto de los componentes de las máquinas
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MaxLinear, Inc. Es una empresa de servicios de telecomunicaciones.
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
El IC TXRX RS485/RS422 28DIP
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Maxim integrado
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
El IC TXRX RS232 5V ESD 16-SOIC se utilizará en el caso de las unidades de circuito integrado.
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STMicroelectrónica
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ST3485ECDR |
IC TXRX RS422/485 15MBPS 8SO
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STMicroelectrónica
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El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo es el siguiente: |
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK, para el cual se utiliza el método de ensayo
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Tecnologías Infineon
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IRFS7440TRLPBF |
MOSFET N CH 40V 120A D2PAK y otros componentes
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Tecnologías Infineon
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KSZ8081MLXCA |
IC TXRX ETHERNET 100MBPS 48LQFP y otros sistemas de transmisión por cable
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Tecnología de microchips
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STH3N150-2 |
MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2 y el resto de los componentes
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STMicroelectrónica
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STW4N150 |
MOSFET N-CH 1500V 4A a 247
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STMicroelectrónica
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