Filtros
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Semiconductores
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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FDMA1032CZ |
MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2
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En el caso de las
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FDS8949 |
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC
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En el caso de las
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FQS4901TF |
MOSFET 2N-CH 400V 0.45A 8SOP
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En el caso de las
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FDS8984 |
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC
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En el caso de las
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IRF7501TRPBF |
MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8
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Tecnologías Infineon
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DMP6050SSD-13 |
MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8-SO
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Diodos incorporados
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FDS9933A: el número de unidades |
MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC y el resto de los componentes
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En el caso de las
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FDS8960C: el valor de las emisiones de CO2 |
MOSFET N/P-CH 35V 7A/5A 8SOIC y otros
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En el caso de las
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El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades |
MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inver
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En el caso de las
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FDC6301N |
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
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En el caso de las
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DMN6040SSD-13 |
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
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Diodos incorporados
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FDS3890 |
MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO
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En el caso de las
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FDMQ8203 |
MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
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En el caso de las
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DMP2200UDW-7 |
MOSFET 2P-CH 20V 0,9A SOT363 y otros componentes
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Diodos incorporados
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DMG6602SVTQ-7 |
MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
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Diodos incorporados
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FDG6304P |
MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6 y el resto de los componentes
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En el caso de las
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DMC3028LSD-13 |
MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26 y el otro
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Diodos incorporados
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DMN26D0UFB4-7 |
MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23 y sus componentes
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Diodos incorporados
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NTR5198NLT1G |
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23 y el resto de los componentes
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En el caso de las
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NTR4170NT1G |
MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23 y el resto de los componentes
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En el caso de las
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DMP3056L-7 |
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
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Diodos incorporados
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FDN360P |
MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3
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En el caso de las
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NTGS3443T1G |
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la señ
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En el caso de las
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DMP3130L-7 |
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT-23 y sus componentes
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Diodos incorporados
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FDN5630 |
MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3 y sus componentes
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3 y sus componentes
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Diodos incorporados
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FDG316P |
MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6 y el resto de los componentes
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En el caso de las
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ZXM61N03FTA |
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 y sus componentes
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Diodos incorporados
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NTD5867NLT4G |
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK: el número de unidades de energía de la unidad de energía de la unidad de e
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En el caso de las
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NTD3055L104T4G |
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
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En el caso de las
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ZXMP6A13FQTA |
MOSFET P-CH 60V 0,9A SOT23-3 y el resto de los componentes
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Diodos incorporados
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Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de los vehículos de la categoría M1 y M2. |
MOSFET P-CH 20V 7.3A MLP2X2
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En el caso de las
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DMP10H400SK3-13 |
MOSFET P-CH 100V 9A TO252 y otros componentes de la misma
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Diodos incorporados
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IRFL4315TRPBF |
MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
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Tecnologías Infineon
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FQD11P06TM |
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
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En el caso de las
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CSD19534Q5A |
MOSFET N-CH 100V 50 8SON
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Las acciones de Texas Instruments
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IRF7820TRPBF |
MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO y otros componentes
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Tecnologías Infineon
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FDS3672 |
MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-SOIC y otros componentes de los mismos
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En el caso de las
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IRFR6215TRPBF |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de los residuos.
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Tecnologías Infineon
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ZXMP10A18KTC |
MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK, para el cual se utiliza el módulo DPAK.
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Diodos incorporados
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FDS2572 |
MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC y el resto de los componentes
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En el caso de las
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ZXMP10A18GTA |
MOSFET P-CH 100V 2,6A SOT223 Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inve
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Diodos incorporados
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FDS6681Z |
MOSFET P-CH 30V 20A 8-SO
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En el caso de las
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Las condiciones de las pruebas de seguridad deberán ser las siguientes: |
MOSFET N-CH 75V 100A 8QFN y el resto de los componentes
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En el caso de las
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IRF5210STRLPBF |
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK y otros componentes
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Tecnologías Infineon
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Las condiciones de los vehículos de la categoría M1 y M2 |
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la seña
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En el caso de las
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FDB44N25TM |
MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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En el caso de las
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FDB8441 |
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK y el resto de los componentes
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En el caso de las
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