Filtros
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Circuitos integrados - ICs
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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El objetivo es: |
Los conductores de la puerta de enlace 100V/4A H-BRDG DRVR 10LD 4X4 TTL INPU
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Intersil
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Las condiciones de las pruebas de ensayo se especifican en el punto 6.2. |
Los conductores de puertas 75V 1.25A PEC HALF BRDG DRVR
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Intersil
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ISL2111ABZ |
Los conductores de la puerta de enlace 100V 4A H-BRDG DRVR 8LD TTL
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Intersil
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EL7202CSZ |
Los conductores de puertas EL7202CSZ DL MSFT DRVR
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Intersil
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EL7104CSZ |
Los controladores de puertas EL7104CSZ SNG MOSFET DRVR
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Intersil
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Los datos de los datos de los Estados miembros son los siguientes: |
Gestión de la batería CHRGR de conmutación para baterías de 1 célula LI
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Intersil
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FAN3989MLP8X |
Gestión de la batería USB/Dispositivo de detección de carga con interruptor de carga
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Semiconductor Fairchild
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BQ40Z50RSMR-R1 |
Controlador multifunción de batería IC Iones de litio/polímero 32-VQFN (4x4)
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Las acciones de Texas Instruments
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ATA5021-GAQW |
Circuitos de supervisión temporizador digital de vigilancia de ventanas
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Atmel / Tecnología de microchips
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MB3773PF-G-BND-JN-ERE1 (en inglés) |
Circuitos de supervisión PWR Monitor de suministro w/horario de perro guardián
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Expansión / Ciprés
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MCP1316T-29LE/OT |
Circuitos de supervisión P-P bajo activo
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Tecnología de microchips
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MB3773PF-G-BND-JN-EFE1 y otros |
Circuitos de control analógicos
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El ciprés semiconductor
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IXDI604SI |
Los controladores de puertas 4A con doble motor de Mosfet ultrarápido de lado bajo
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Circuitos integrados IXYS
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MIC4427YM |
Los controladores de puertas 1.5A conductores MOSFET de alta velocidad duales
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Tecnología de microchip
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IX4427NTR |
Los controladores de puertas DUAL NO INVERT DRVR 8P SOIC Entrada CMOS
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Circuitos integrados IXYS
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BQ28Z610DRZR |
El valor de las emisiones de CO2 de las baterías se calculará en función de las emisiones de CO2 de
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Las acciones de Texas Instruments
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bq76200PWR |
Gestión de la batería NCH de alta velocidad
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Las acciones de Texas Instruments
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IRS2004STRPBF |
Los conductores de la puerta de entrada de la mitad de Brdg Drvr w/ Hi&Lw Side Outpt
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IR/Infineon
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El número de unidades de producción es el siguiente: |
Los conductores de la puerta 9V 5 pin para conductor de MOSFET 263; 30A
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Circuitos integrados IXYS
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Los controladores de puertas
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Tecnologías Infineon
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Las demás partidas |
Los controladores de puertas 4A con doble motor de Mosfet ultrarápido de lado bajo
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Circuitos integrados IXYS
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IXDF604SIA, incluidos los siguientes: |
Los controladores de puertas 4A con doble motor de Mosfet ultrarápido de lado bajo
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Circuitos integrados IXYS
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Los conductores de puertas de acceso a la red de alta tensión de 600 V
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IR/Infineon
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STC3115AIQT |
ALARMA DEL INDICADOR DEL GAS DE IC FUERA DE 10DFN
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STMicroelectrónica
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VN808TR-E |
Los conductores de la puerta del canal octal alto
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STMicroelectrónica
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IXDN604SIATR |
Los controladores de puertas 4A con doble motor de Mosfet ultrarápido de lado bajo
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Circuitos integrados IXYS
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MAX809MEUR+T |
Circuitos de supervisión Supervisor de MPU de 3 pines
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Maxim integrado
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Se aplicará a los productos de la categoría II. |
Los controladores de puertas de 14 amperes MOSFET ultrarápido de lado bajo
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Circuitos integrados IXYS
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Las demás partidas |
Los controladores de la puerta de 9 amperes de lado bajo MOSFET ultrarápido
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Circuitos integrados IXYS
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MAX705ESA+T |
Circuitos de supervisión Supervisor uPower único
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Maxim integrado
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VNQ500PEPTR-E |
Patio Ch HiSide Drivr de los conductores de la puerta
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STMicroelectrónica
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El número de unidades de producción |
Los controladores de puertas de 14 amperes MOSFET ultrarápido de lado bajo
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Circuitos integrados IXYS
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
Circuitos de supervisión con doble interruptor
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Maxim integrado
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TPS3808G33DBVR |
Circuitos de supervisión de retraso programable
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Las acciones de Texas Instruments
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Las condiciones de los productos de la categoría II son las siguientes: |
Los controladores de puertas de 14 amperes MOSFET ultrarápido de lado bajo
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Circuitos integrados IXYS
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IXDD609SI |
Los controladores de la puerta de 9 amperes de lado bajo MOSFET ultrarápido
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Circuitos integrados IXYS
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IXDD604SI |
Los controladores de puertas 4A con doble motor de Mosfet ultrarápido de lado bajo
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Circuitos integrados IXYS
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IXDN604SIA |
Los controladores de puertas 4A con doble motor de Mosfet ultrarápido de lado bajo
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Circuitos integrados IXYS
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IXDN602SIA |
Los conductores de la puerta 2-A MOSFET dual de lado bajo ultrarápido
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Circuitos integrados IXYS
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Se aplicarán los siguientes requisitos: |
Los conductores de puertas
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Tecnologías Infineon
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MAX1968EUI+T |
Conductores de puertas Conductores de potencia para módulos TEC de Peltier
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Maxim integrado
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ZXGD3006E6TA |
PUERTA DRVR IGBT/MOSFET SOT26 DE IC
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Diodos incorporados
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ZXGD3004E6TA |
PUERTA DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 DE IC
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Diodos incorporados
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IRS2101STRPBF |
LADO ALTO-BAJO 8-SOIC DEL CONDUCTOR DE IC
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Tecnologías Infineon
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FAN7888MX |
CONDUCTOR MEDIO BRIDG 20SOIC DE LA PUERTA DE IC
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En el caso de las
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IR2127STRPBF |
EL CONDUCTOR CURR DE IC DETECTA 1CHAN 8SOIC
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Tecnologías Infineon
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IR2183STRPBF |
PUENTE 8SOIC DEL CONDUCTOR DE IC MEDIO
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Tecnologías Infineon
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IRS2005STRPBF |
SEMIPUENTE 8SOIC DE LA PUERTA DRVR DE IC
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Tecnologías Infineon
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MC33152DR2G |
EL MOSFET DEL CONDUCTOR DE IC SE DOBLA HS 8SOIC
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En el caso de las
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MIC4426YM-TR |
MOSFET 1.5A 8SOIC DUAL del CONDUCTOR de IC
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Tecnología de microchips
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