| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ |
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El número de unidades de producción será el siguiente:
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Memoria flash 3V 32 Mb Puerta flotante dos dirección 90s
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El ciprés semiconductor
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S29GL064N90TFI010
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Paralelo de memoria Flash 64Mb 3V 90ns NI de destello
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El ciprés semiconductor
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Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.
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DRAM 512M (32Mx16) 166MHz SDR SDRAM, 3.3V
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El ISSI
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MT25QL01GBBB8E12-0SIT
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El sistema de control de velocidad de los motores de las unidades de carga de las unidades de carga
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Tecnología de micrones
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MT25QL128ABA1ESE-MSIT
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Las emisiones de gases de efecto invernadero se aplican a las emisiones de gases de efecto invernade
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Tecnología de micrones
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IS43TR16128AL-125KBL
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DDRAM 2G 1.35V (128M x 16) DDR3 SDRAM
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El ISSI
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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Especificación de la memoria DDR3 SDRAM de 1 GB
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Semiconductor de Samsung
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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Memoria gráfica
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Semiconductor de Samsung
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M29DW128G70NF6E
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NOR Flash Paralelo 128Mbit 16 56/56
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STMicroelectrónica
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Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en el sitio web de la Agencia.
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DRAM 16M, 3.3V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM sincronizado
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El ISSI
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Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa, incluidos los productos de las categorías IIIa y IV.
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DRAM 4G, 1.35V, 1333Mhz DDR3L SDAM
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El ISSI
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Los datos de las autoridades competentes deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.
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Memoria Flash ni
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El ciprés semiconductor
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Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa, incluidos los productos de las categorías IIIa y IV.
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DRAM 1G, 1.5V, (64M x 16) 1600Mhz DDR3 SDRAM
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El ISSI
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Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.
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DRAM 16M, 5V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM sincronizado
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El ISSI
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Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa, incluidos los productos de las categorías IIIa y IV.
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La memoria DRAM 2G, 1.5V, 1333MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM
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El ISSI
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El número de personas que pueden participar en el programa es el número de personas que pueden participar.
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DRAM 2G, 1.5V, 1600MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM
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El ISSI
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
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DRAM 4G, 1.5V, 1600Mhz DDR3 SDRAM
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El ISSI
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IS43TR16256AL-125KBL
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DRAM 4G, 1.35V, 1600Mhz DDR3L SDAM
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El ISSI
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S29GL128N90FFAR22: el número de unidades de seguridad de las que se trate.
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Memoria Flash ni
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El ciprés semiconductor
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¿ Qué es lo que está pasando?
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Memoria flash de 8 GB EEPROM NAND
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toshiba
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Se aplicará el procedimiento siguiente:
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Paralelo de memoria Flash 32Mb 3V 90ns NI de destello
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El ciprés semiconductor
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El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
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EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS y EEPROM NAND
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toshiba
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THGBMHG7C1LBAIL
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Memoria Flash 16GB NAND EEPROM con CQ
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toshiba
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.
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Memoria Flash los 256M, 3.0V, 104Mhz SPI NI flash
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El ciprés semiconductor
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S25FL116K0XMFI041
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Memoria Flash el 16M, 3V, 108Mhz serial NI de destello
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El ciprés semiconductor
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El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo será igual al número de personas a las que se refiere el apartado 2 del presente artículo.
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Memoria flash 2 Mb QSPI, SOP de 8 pines 150 Mil, RoHS, ET, T&R
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El ISSI
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IS25LQ032B-JBLE
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Memoria Flash los 32M SPI, COMPENSACIÓN 208mil Y 2.3-3.6V de 8 pernos
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El ISSI
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TC58NVG1S3HBAI4
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EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS y EEPROM NAND
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toshiba
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El número de unidades de producción será el siguiente:
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EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS y EEPROM NAND
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toshiba
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TC58BVG0S3HTAI0
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EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS y EEPROM NAND
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toshiba
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los sistemas de seguridad de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de lo
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Paralelo de memoria Flash 32MB 3.0V 70ns NI de destello de destello
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El ciprés semiconductor
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S34MS04G100BHI000
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Memoria Flash 4G, 1,8 V, Flash NAND de 45 ns
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Expansión / Ciprés
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S34ML01BHV000
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Memoria Flash NAND
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El ciprés semiconductor
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S34MS01G100BHI000
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Memoria flash 1G, 1.8V, 45ns NAND Flash
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Expansión / Ciprés
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S29GL032N90TFI023: el número de unidades de producción y el número de unidades de producción.
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Paralelo de memoria Flash 32MB 2.7-3.6V 90ns NI de destello
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El ciprés semiconductor
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IS25WP016D-JULE-TR
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NOR Flash 16Mb QSPI, 8 pines USON 2X3MM, RoHS, T&R
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El ISSI
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TC58NVG1S3HTA00
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EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS y EEPROM NAND
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toshiba
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TC58BVG1S3HTA00
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EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS y EEPROM NAND
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toshiba
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TC58NVG0S3HTA00
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EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS y EEPROM NAND
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toshiba
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TC58BVG2S0HTAI0
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EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS y EEPROM NAND
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toshiba
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Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en el sitio web de la Agencia Europea para el Desarrollo Económico.
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DRAM 4G, 1.5V, 1600Mhz DDR3
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El ISSI
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
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DRAM 4G, 1.5V, 1866MHz 256Mx16 DDR3 SDRAM
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El ISSI
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Se trata de una prueba de la eficacia de las sustancias químicas.
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DDRAM 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V
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El ISSI
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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La memoria DRAM 2G, 1.5V, 1333MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM
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El ISSI
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Se aplicará el método siguiente:
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la memoria DRAM DDR3L,8G,1.5V, RoHs 1600MT/s, 512Mx16
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El ISSI
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IS43DR16128B-25EBLI
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DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 128Mx16, 400Mhz @ CL6, 84 bolas BGA (10.5mmx13.5mm) RoHS, IT
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El ISSI
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Se aplicarán las siguientes medidas:
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DRAM 4G, 1.35V, 1600Mhz DDR3L SDAM
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El ISSI
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IS46TR16128B-15HBLA1
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DRAM Automotriz (Tc: -40 a +95C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 bolas BGA (9mm x13mm
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El ISSI
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IS41LV16100C-50TLI
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DRAM 16M, 3.3V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM sincronizado
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El ISSI
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IS43TR16128BL-125KBL
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La memoria DRAM 2G, 1.35V, 1600MT/s 128Mx16 DDR3L SDRAM
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El ISSI
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¡Su mensaje debe tener entre 20 y 3.000 caracteres!