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TC58BVG1S3HTA00

TC58BVG1S3HTA00

EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM

TC58NVG0S3HTA00

TC58NVG0S3HTA00

EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM

TC58BVG2S0HTAI0

TC58BVG2S0HTAI0

EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM

DS2432P+T&R

DS2432P+T&R

Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web del organismo notificado.

Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web del organismo notificado.

EEPROM SEEPROM, 1K, SW - 1.7-3.6V, 125Kbps, Ind Tmp, 2-XSFN

	Imagen	parte #	Descripción	fabricante	Común	RFQ
		TC58NVG0S3HTAI0	EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS y EEPROM NAND	toshiba
		TC58NYG0S3HBAI6 y el número de unidades	EEPROM 1.8V, 1 Gbit CMOS y EEPROM NAND	toshiba
		TC58BVG0S3HTA00	EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS y EEPROM NAND	toshiba
		TC58BVG2S0HTA00	EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS y EEPROM NAND	toshiba
		TC58NVG1S3HTAI0	EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS y EEPROM NAND	toshiba
		El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.	EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS y EEPROM NAND	toshiba
		TC58NVG1S3HBAI4	EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS y EEPROM NAND	toshiba
		El número de unidades de producción será el siguiente:	EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS y EEPROM NAND	toshiba
		TC58BVG0S3HTAI0	EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS y EEPROM NAND	toshiba
		TC58NVG1S3HTA00	EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS y EEPROM NAND	toshiba
		TC58BVG1S3HTA00	EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS y EEPROM NAND	toshiba
		TC58NVG0S3HTA00	EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS y EEPROM NAND	toshiba
		TC58BVG2S0HTAI0	EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS y EEPROM NAND	toshiba
		DS2432P+T&R	EEPROM	ADI/Analog Devices Inc.
		Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web del organismo notificado.	EEPROM SEEPROM, 1K, SW - 1,7-3,6V, 125Kbps, Ind Tmp, 2-XSFN, para las transmisiones de alta velocida	Atmel / Tecnología de microchips

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