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Memoria flash
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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TC58NVG3S0FTA00: las condiciones de los vehículos de las categorías A y B. |
Memoria flash de 8 GB 3.3 V SLC NAND EEPROM
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toshiba
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Se aplicará el método de clasificación de los productos. |
Memoria Flash ni
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El ciprés semiconductor
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¿ Qué es lo que está pasando? |
Memoria Flash 16GB NAND EEPROM
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toshiba
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Memoria Flash ni
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El ciprés semiconductor
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TC58NVG2S3ETA |
Memoria Flash 4Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
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toshiba
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¿ Qué es esto? |
Memoria Flash 4GB NAND EEPROM
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toshiba
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THGBMHG8C2LBAIL |
Memoria flash de 32 GB NAND EEPROM con una capacidad de almacenamiento
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toshiba
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TC58NVG1S3ETAI0 El número de unidades |
Memoria flash 1 GB 3.3 V SLC NAND Flash EEPROM en serie
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toshiba
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El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo será igual al número de personas a las que se refiere el apartado 2 del presente artículo. |
Memoria Flash 4Mb QSPI, COMPENSACIÓN 150Mil, RoHS de 8 pernos, Y, T&R
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El ISSI
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S34ML02G104TFI010 |
Memoria flash 2G 3V 25ns NAND Flash
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El ciprés semiconductor
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S34ML01G100TFI000 |
Memoria Flash 1Gb 3V 25ns NAND Flash
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Expansión / Ciprés
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S34ML04G200TFI000 |
Memoria Flash 4G, 3V, 25ns NAND Flash
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El ciprés semiconductor
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El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción. |
Memoria Flash 4Mb QSPI, COMPENSACIÓN 208Mil, RoHS de 8 pernos, Y, T&R
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El ISSI
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. |
Memoria Flash los 64M, 3.0V, 108Mhz serial NI de destello
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El ciprés semiconductor
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El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo es el siguiente: |
Memoria flash 512Kb QSPI, SOP de 8 pines 150 Mil, RoHS, ET
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El ISSI
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IS25LQ040B-JNLE |
Memoria Flash 4Mb QSPI, 8 pines SOP 150Mil, RoHS, ET
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El ISSI
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S29PL032J70BFI120 |
Paralelo de memoria Flash 32Mb 3V 70ns NI de destello
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El ciprés semiconductor
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S34ML01G100BHI000 |
Memoria Flash 1Gb 3V 25ns NAND Flash
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El ciprés semiconductor
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S25FL127SABBHIC00 |
Memoria flash de 128 MB 3V 108MHz en serie o sin flash
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Expansión / Ciprés
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S29WS512P0SBFW000 |
Paralelo de memoria Flash 512Mb 1.8V 80Mhz NI de destello
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Expansión / Ciprés
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S29WS256P0PBFW000 |
Memoria Flash 256Mb 1.8V 66Mhz Paralelo NOR Flash
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Expansión / Ciprés
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El número de unidades de producción será el siguiente: |
Memoria flash 3V 32 Mb Puerta flotante dos dirección 90s
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El ciprés semiconductor
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S29GL064N90TFI010 |
Paralelo de memoria Flash 64Mb 3V 90ns NI de destello
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El ciprés semiconductor
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Los datos de las autoridades competentes deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente. |
Memoria Flash ni
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El ciprés semiconductor
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S29GL128N90FFAR22: el número de unidades de seguridad de las que se trate. |
Memoria Flash ni
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El ciprés semiconductor
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¿ Qué es lo que está pasando? |
Memoria flash de 8 GB EEPROM NAND
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toshiba
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Paralelo de memoria Flash 32Mb 3V 90ns NI de destello
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El ciprés semiconductor
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THGBMHG7C1LBAIL |
Memoria Flash 16GB NAND EEPROM con CQ
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toshiba
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. |
Memoria Flash los 256M, 3.0V, 104Mhz SPI NI flash
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El ciprés semiconductor
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S25FL116K0XMFI041 |
Memoria Flash el 16M, 3V, 108Mhz serial NI de destello
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El ciprés semiconductor
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El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo será igual al número de personas a las que se refiere el apartado 2 del presente artículo. |
Memoria flash 2 Mb QSPI, SOP de 8 pines 150 Mil, RoHS, ET, T&R
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El ISSI
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IS25LQ032B-JBLE |
Memoria Flash los 32M SPI, COMPENSACIÓN 208mil Y 2.3-3.6V de 8 pernos
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El ISSI
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los sistemas de seguridad de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de lo |
Paralelo de memoria Flash 32MB 3.0V 70ns NI de destello de destello
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El ciprés semiconductor
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S34MS04G100BHI000 |
Memoria Flash 4G, 1,8 V, Flash NAND de 45 ns
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Expansión / Ciprés
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S34ML01BHV000 |
Memoria Flash NAND
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El ciprés semiconductor
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S34MS01G100BHI000 |
Memoria flash 1G, 1.8V, 45ns NAND Flash
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Expansión / Ciprés
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S29GL032N90TFI023: el número de unidades de producción y el número de unidades de producción. |
Paralelo de memoria Flash 32MB 2.7-3.6V 90ns NI de destello
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El ciprés semiconductor
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IS25WP016D-JULE-TR |
NOR Flash 16Mb QSPI, 8 pines USON 2X3MM, RoHS, T&R
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El ISSI
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S29GL512P11FFI020: las condiciones de los vehículos de las categorías A y B. |
Paralelo de memoria Flash 512Mb 3V 110ns NI de destello
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El ciprés semiconductor
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El número de unidades de producción será el siguiente: |
Memoria Flash el 16M, 3V, 108Mhz serial NI de destello
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El ciprés semiconductor
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TC58NVG1S3ETA00 |
Memoria flash 1 GB 3.3 V SLC NAND Flash EEPROM en serie
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toshiba
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Memoria Flash 3.3V 16Gbit NAND EEPROM
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toshiba
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Los datos de los datos de los Estados miembros son los siguientes: |
Memoria Flash 32Gb 3.3V IC NAND de destello EEPROM
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toshiba
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TC58NVG0S3ETA00 |
Memoria flash 1 GB 3.3 V SLC NAND EEPROM flash
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toshiba
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¿ Qué es lo que está pasando? |
Memoria flash de 8 GB NAND EEPROM I-Temp
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toshiba
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¿ Qué es lo que está pasando? |
Memoria flash de 32 GB y EEPROM NAND
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toshiba
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TC58CVG1S3HRAIG: las condiciones de los vehículos de las categorías A y B. |
Memoria Flash 2Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial
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toshiba
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán a los vehículos de motor. |
Memoria Flash ni
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El ciprés semiconductor
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THGBMDG5D1LBAIT |
Memoria Flash 4GB NAND EEPROM
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toshiba
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¿Qué es lo que está pasando? |
Memoria Flash 64GB NAND EEPROM w/CQ
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toshiba
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