Filtros
Filtros
Productos de semiconductor discretos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
DTC144EKAT146 y las demás |
Trans Prebias NPN 200 MW SMT3
|
Semiconductor de Rohm
|
|
|
|
|
|
DTC143EUAT106 Las condiciones de los servicios de seguridad |
Trans Prebias NPN 200 MW UMT3
|
Semiconductor de Rohm
|
|
|
|
|
|
DTC143ZKAT146 |
Trans Prebias NPN 200 MW SMT3
|
Semiconductor de Rohm
|
|
|
|
|
|
PDTC114YU,115 |
El valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en fun
|
Nexperia EE.UU. Inc.
|
|
|
|
|
|
el PDTC144ET,215 |
El valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en fun
|
Nexperia EE.UU. Inc.
|
|
|
|
|
|
PDTC123JT,215 |
El valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en fun
|
Nexperia EE.UU. Inc.
|
|
|
|
|
|
DTB113ZKT146 |
Trans Prebias PNP 200 MW SMT3
|
Semiconductor de Rohm
|
|
|
|
|
|
DTC114YETL |
Trans Prebias NPN 150 MW EMT3
|
Semiconductor de Rohm
|
|
|
|
|
|
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10
|
STMicroelectrónica
|
|
|
|
|
|
DTC043ZUBTL |
Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
|
Semiconductor de Rohm
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el método de clasificación de los productos. |
MOSFET RF LDMOS 50V TO270-2 Oro
|
NXP EE.UU. Inc.
|
|
|
|
|
|
DTC143EKAT146 el año pasado |
Trans Prebias NPN 200 MW SMT3
|
Semiconductor de Rohm
|
|
|
|
|
|
DTC114EUAT106 Las condiciones de los servicios de seguridad |
Trans Prebias NPN 200 MW UMT3
|
Semiconductor de Rohm
|
|
|
|
|
|
DTC114EKAT146 |
Trans Prebias NPN 200 MW SMT3
|
Semiconductor de Rohm
|
|
|
|
|
|
DTA114EUAT106 |
Trans Prebias PNP 200 MW UMT3
|
Semiconductor de Rohm
|
|
|
|
|
|
DTC014EEBTL |
Trans Prebias NPN 50V 0,15W SC89
|
Semiconductor de Rohm
|
|
|
|
|
|
MRFE6VP61K25HR6 |
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
|
NXP EE.UU. Inc.
|
|
|
|
|
|
el PDTC124ET,215 |
Trans Prebias NPN 250 MW a 236 AB
|
Nexperia EE.UU. Inc.
|
|
|
|
|
|
MW6S010GNR1 |
MOSFET RF LDMOS 28V TO270-2 Oro
|
NXP EE.UU. Inc.
|
|
|
|
|
|
MW6S004NT1 |
FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
|
NXP EE.UU. Inc.
|
|
|
|
|
|
2SK3557-7-TB-E |
MOSFET de RF N-CH JFET 5V 3CP
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
DTD113ZKT146 y las siguientes: |
Trans Prebias NPN 200 MW SMT3
|
Semiconductor de Rohm
|
|
|
|
|
|
DTC123JETL |
Trans Prebias NPN 150 MW EMT3
|
Semiconductor de Rohm
|
|
|
|
|
|
DTC 144EETL |
Trans Prebias NPN 150 MW EMT3
|
Semiconductor de Rohm
|
|
|
|
|
|
DTC043ZMT2L |
El valor de las emisiones de CO2 emitidas por el conductor no deberá exceder el valor de las emision
|
Semiconductor de Rohm
|
|
|
|
|
|
DTC123EKAT146 en el caso de las personas con discapacidad. |
Trans Prebias NPN 200 MW SMT3
|
Semiconductor de Rohm
|
|
|
|
|
|
DTC143ZUAT106 |
Trans Prebias NPN 200 MW UMT3
|
Semiconductor de Rohm
|
|
|
|
|
|
DTC114YKAT146 |
Trans Prebias NPN 200 MW SMT3
|
Semiconductor de Rohm
|
|
|
|
|
|
DTC043ZEBTL |
El valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en fun
|
Semiconductor de Rohm
|
|
|
|
|
|
PDTC114YT,215 |
El valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en fun
|
Nexperia EE.UU. Inc.
|
|
|
|
|
|
PDTA114ET,215 |
Trans Prebias PNP 50V a 236AB
|
Nexperia EE.UU. Inc.
|
|
|
|
|
|
CIELO65050-372LF |
El sistema de control de velocidad de la unidad de control de velocidad de la unidad de control de v
|
Skyworks Soluciones Inc.
|
|
|
|
|
|
PDTC114ET,215 |
Trans Prebias NPN 250 MW a 236 AB
|
Nexperia EE.UU. Inc.
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10
|
STMicroelectrónica
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
FET RF 133V 512MHZ NI360L
|
NXP EE.UU. Inc.
|
|
|
|
|
|
TFA87S |
El valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones eléctricas se calculará en función de las emis
|
Sanken Electric EE.UU. Inc.
|
|
|
|
|
|
70TPS12 |
SCR 1.2KV 75A SUPER-247 y el resto de los componentes
|
Vishay General Semiconductor - División de diodos
|
|
|
|
|
|
VS-70TPS12PBF |
SCR 1.2KV 75A SUPER-247 y el resto de los componentes
|
Vishay General Semiconductor - División de diodos
|
|
|
|
|
|
S8008DRP |
SCR 800V 8A TO252 y las demás partidas
|
Es el nombre de la compañía.
|
|
|
|
|
|
S6X8TSRP |
El valor de las emisiones de CO2 de las centrales eléctricas
|
Es el nombre de la compañía.
|
|
|
|
|
|
Las condiciones de las pruebas de seguridad se especifican en el anexo I. |
El valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones eléctricas de los Estados miembros se calcular
|
Vishay General Semiconductor - División de diodos
|
|
|
|
|
|
Las condiciones de las pruebas de seguridad deberán ser las siguientes: |
Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
|
Vishay General Semiconductor - División de diodos
|
|
|
|
|
|
S6012DRP |
SCR 600V 12A TO252 y el resto de los componentes
|
Es el nombre de la compañía.
|
|
|
|
|
|
S8055RTP |
SCR 800V 55A TO220
|
Es el nombre de la compañía.
|
|
|
|
|
|
S6X8BSRP |
SCR 600V 800MA SOT89
|
Es el nombre de la compañía.
|
|
|