Filtros
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Semiconductores discretos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Transistores de Darlington de 80 V y 300 mW
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Diodos incorporados
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FZT600TA |
Transistores de Darlington NPN Darlington
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Diodos incorporados
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MJD122T4G |
Transistores de Darlington 8A 100V de potencia bipolar NPN
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En el caso de las
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TIP127 |
Transistores de Darlington PNP Epitaxial Darl
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STMicroelectrónica
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ULN2003AIDR |
Transistores Darlington HiVltg Hi-Crnt Darl Tránsistores de la matriz
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Las acciones de Texas Instruments
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MJD122TF, el cual es el |
Transistores de Darlington NPN Sil Darl Trans
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Semiconductor Fairchild
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BD681 |
Transistores de Darlington NPN de energía Darlington
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STMicroelectrónica
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STGW60H65DFB |
IGBT Transistores 600V 60A puerta de zanja IGBT de parada de campo
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STMicroelectrónica
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ULN2003ADR |
Darlington Transistors Darlington
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Las acciones de Texas Instruments
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HGTG5N120BND |
Transistores IGBT 21a 1200V de la serie NPT IGBT N-Ch
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Semiconductor Fairchild
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IKW40N65H5 |
Transistores IGBT muestras de ingeniería
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Tecnologías Infineon
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FGAF40N60SMD |
Transistores IGBT 600 V 80 A 79 W
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Semiconductor Fairchild
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HGTG20N60A4D |
Transistores IGBT de 600 V
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Semiconductor Fairchild
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FGL60N100BNTD |
Transistores IGBT de alta potencia
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Semiconductor Fairchild
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HGTG10N120BND |
Transistores IGBT 35A 1200V N-Ch
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Semiconductor Fairchild
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Se aplican los siguientes requisitos: |
Transistores IGBT 26 Amperios 1700 V 3,5 V Rds
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IXYS
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores IGBT GEN3 IGBT D2PAK 350V TR
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Littelfuse
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El número de unidades de producción |
Transistores IGBT
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IXYS
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TIP122 |
Transistores de Darlington NPN de energía Darlington
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STMicroelectrónica
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FGH40N60SMD |
Transistores IGBT 600V, 40A IGBT de parada de campo
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Semiconductor Fairchild
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HGTG30N60A4 |
Transistores IGBT de 600 V de canal N de la serie IGBT SMPS
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Semiconductor Fairchild
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IXEL40N400 |
Transistores IGBT 4000V 425ns IGBT
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IXYS
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BSP52T1G |
Transistores de Darlington 1A 80V de potencia bipolar NPN
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En el caso de las
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IKW75N60T |
Transistores IGBT con baja pérdida DuoPack 600V 75A
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Tecnologías Infineon
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2SD2143TL |
Transistores Darlington DARL NPN 60V 2A
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Semiconductor de Rohm
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Se aplicará a los vehículos de las categorías IIa y IIIa. |
Transistores IGBT de 5 Amperios 1600 V
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IXYS
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El número de unidades de la serie IHW20N135R5 |
Transistores IGBT Productos IGBT TrenchStop RC
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Tecnologías Infineon
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FJB102TM |
Transistores Darlington 100V Pwr Darl Xstr 0A NPN Tr.
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Semiconductor Fairchild
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El número de unidades de producción es el siguiente: |
Transistores IGBT 72 Amperios 600V 1.35 Rds
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IXYS
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IXBH9N160G |
Transistores IGBT 9 Amperios 1600V
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IXYS
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MJD127T4G |
Transistores de Darlington 8A 100V de potencia bipolar PNP
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En el caso de las
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ULN2003ADR2G |
Los transistores de Darlington DARLINGTON TRNS ARRY
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En el caso de las
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El número de unidades de producción de los vehículos de las categorías M1 y M2 será el siguiente: |
Transistores IGBT 1200V, 12A IGBT; Serie G
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IXYS
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El número de unidades de producción será el siguiente: FGA50N100BNTD2 |
Transistores IGBT N-ch / 50A 1000V
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Semiconductor Fairchild
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Se aplicará a los vehículos de la categoría M1 y M2. |
Transistores IGBT XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBT
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IXYS
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No obstante lo dispuesto en el apartado 2, |
Transistores de Darlington NPN/ 110V/ 1.5A
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Semiconductor Fairchild
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ULN2003D1013TR |
Transistores de Darlington Siete NPN matriz
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STMicroelectrónica
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ULN2003AD |
Darlington Transistors Darlington
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Las acciones de Texas Instruments
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Transistores IGBT XPT 1200V IGBT GenX5 XPT IGBT
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IXYS
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ULN2003A |
Transistores de Darlington Siete NPN matriz
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STMicroelectrónica
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MJ11032G |
Transistores de Darlington 50A 120V de potencia bipolar NPN
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En el caso de las
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IXYH50N120C3D1 |
Transistores IGBT XPT 1200V IGBT GenX6 XPT IGBT
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IXYS
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Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche. |
Transistores IGBT 600V 30A 187W
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Tecnologías Infineon
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IKW25N120T2 |
Transistores DuoPack DE PEQUEÑAS PÉRDIDAS 1200V 25A de IGBT
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Tecnologías Infineon
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IXGH48N60C3D1 |
Transistores IGBT de 30 A 600 V
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IXYS
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FGH25T120SMD |
Transistores IGBT 1200V, 25A IGBT de tramo de parada de campo
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Semiconductor Fairchild
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FGD5T120SH |
Transistores IGBT 1200V 5A Trench de parada de campo IGBT
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Semiconductor Fairchild
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IKW50N60H3 |
Transistores IGBT con conmutación de alta velocidad
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Tecnologías Infineon
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Las condiciones de los equipos de ensayo deberán ser las siguientes: |
Transistores IGBT
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IXYS
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IXBF32N300 |
Transistores IGBT
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IXYS
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