Filtros
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Semiconductores discretos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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IXBH12N300 |
Transistores IGBT
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IXYS
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El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
Transistores IGBT 2500V/95A, HV XPT IGBT también equipados
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IXYS
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IKW75N65ES5 |
IGBT Transistores Trenchstop 5 IGBT
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Tecnologías Infineon
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IXBK55N300 |
Transistores IGBT
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IXYS
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IKW40N120T2 |
Transistores IGBT con baja pérdida DuoPack 1200V 40A
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Tecnologías Infineon
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FZ1600R17HP4 |
Modelos IGBT IGBT 1700V 1600A
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Tecnologías Infineon
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FNA41560B2 y sus derivados |
Modulos IGBT Modulo de energía inteligente Movimiento-SPM
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Semiconductor Fairchild
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Los módulos IGBT N-CH 1.7KV 930A
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Los módulos IGBT 1200V 450A de 3 fases
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Tecnologías Infineon
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Las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo deberán ser realizadas en el lugar de ensayo. |
Los módulos IGBT 600V/30A/SPM2
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Semiconductor Fairchild
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Modulos IGBT de 60 Amperios y 600 V
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IXYS
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FP75R12KT4 |
Los módulos IGBT 1.85V IGBT 4 PIM
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Los módulos IGBT N-CH 1.7KV 1.39KA
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Tecnologías Infineon
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FF300R17KE3 |
Los módulos IGBT N-CH 1.7KV 404A
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el método siguiente: |
Modulos IGBT 1200V y 900A
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Tecnologías Infineon
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FP100R12KT4 |
Modelos IGBT Módulo IGBT
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. |
Los módulos IGBT IGBT 1700V 1200A
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Módulos IGBT EconoDUAL 3 1700V módulo IGBT dual con IGBT4 de trinchera / campo, diodo controlado por
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Tecnologías Infineon
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VUB145-16NOXT: las condiciones de los productos |
Modulos IGBT Puente rectificador de 3 fases con IGBT
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IXYS
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AUIRGDC0250 |
IGBT 1200V 141A 543W hasta 220
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
Los módulos IGBT N-CH 600V 37A
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Tecnologías Infineon
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Se trata de un sistema de control de velocidad. |
Los módulos IGBT N-CH 1.2KV 100A
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Tecnologías Infineon
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Las condiciones de los vehículos de las categorías A y B deberán ser las siguientes: |
Modelos IGBT Modulos IGBT 650V 150A
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Tecnologías Infineon
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FP100R06KE3 |
Los módulos IGBT N-CH 600V 100A
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el método siguiente: |
Modulos IGBT 1200V 150A doble
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Tecnologías Infineon
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FF450R12KT4 |
Módulos N-CH 1.2KV 580A de IGBT
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Tecnologías Infineon
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El número de unidades de producción |
El número de conexión de la unidad de transmisión IGBT 600V TO247-3
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Tecnologías Infineon
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FNA22512A |
Módulo de energía inteligente de inversor de 1200V 25A
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Semiconductor Fairchild
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Los módulos IGBT N-CH 1.2KV 320A
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Modulos IGBT 1200V y 600A
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Tecnologías Infineon
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2MBI200U4H-120 |
Módulo de IGBT
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Fuji eléctrico
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2SB1184TLQ: las condiciones de los equipos de ensayo y de los equipos de ensayo. |
Transistores bipolares - BJT D-PAK;BCE PNP;Driver SMT HFE RANK Q
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Semiconductor de Rohm
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En el caso de las personas que se encuentran en el lugar de trabajo. |
Transistores bipolares - BJT BIPOLAR XTSR 2A/50V
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En el caso de las
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ZXTN649FTA |
Transistores bipolares - BJT Zetex Med. Potencia NPN
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Diodos incorporados
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2SA1900T100Q: las condiciones de los equipos de ensayo y de los equipos de ensayo. |
Transistores bipolares - BJT PNP 50V 1A SO-89
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Semiconductor de Rohm
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DSA200200L |
Transistores bipolares - BJT SM SIG BIPLR TRANS GL WNG 2.9x2.8mm
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Las máquinas de la clase Panasonics
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DSA7101R0L |
Transistores bipolares - BJT BIPLR PW TRANS PLATO con plomo de 4,5x4,0 mm
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Las máquinas de la clase Panasonics
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2SC2412KT146R |
Transistores bipolares - BJT NPN 50V 0,15A
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Semiconductor de Rohm
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Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán cumplirse en todos los casos. |
Transistores bipolares - BJT BIP PNP 5A 20V
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En el caso de las
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos |
Transistores bipolares - poder medio de BJT NPN
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Diodos incorporados
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2SC5200-O (Q) |
Transistores bipolares - BJT NPN 230V 15A
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toshiba
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BCW66HTA |
Transistores bipolares - BJT NPN baja saturación
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Diodos incorporados
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MMBT3906-7-F |
Transistores bipolares - BJT 40V 300mW
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores bipolares - BJT 40V 150mW
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Diodos incorporados
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FZT651TA |
Transistores bipolares - poder medio de BJT NPN
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Diodos incorporados
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FZT857TA |
Transistores bipolares - BJT NPN de alto voltaje
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Diodos incorporados
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ZXTN2010ZTA |
Transistores bipolares - BJT 60V NPN Med de energía
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Diodos incorporados
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PZT2222AT1G |
Transistores bipolares - BJT 600mA 75V NPN
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En el caso de las
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MJD45H11-1G |
Transistores bipolares - BJT 8A 80V 20W PNP
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En el caso de las
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MMBTA42-7-F |
Transistores bipolares - BJT 300V 300mW
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Diodos incorporados
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