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Semiconductores discretos
Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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PZTA42T1G |
Transistores bipolares - BJT 500mA 300V NPN
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En el caso de las
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2SD1918TLQ |
Transistores bipolares - BJT NPN 160V 1.5A
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Semiconductor de Rohm
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2SC4081T106R: el contenido de agua en el agua |
Transistores bipolares - BJT NPN 50V 0,15A SOT-323
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Semiconductor de Rohm
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DSC5002R0L: el número de unidad |
Transistores bipolares - BJT SM SIG TRANS FLT LD 2.0x2.1 mm
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Las máquinas de la clase Panasonics
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BCX51TA |
Transistores bipolares - BJT Pwr Transistor de perf mediano SOT89 T&R 1K
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Diodos incorporados
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2SB1386T100Q: las siguientes características: |
Transistores bipolares - BJT PNP 20V 5A
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Semiconductor de Rohm
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2SA2094TLQ. |
Transistores bipolares - BJT TRANS GP BJT PNP 60V 2A 3PIN
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Semiconductor de Rohm
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Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de las categorías M1 y M2. |
Transistores bipolares - BJT BIP PNP 2A 25V
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En el caso de las
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2SC4617 |
Transistores bipolares - BJT NPN 50V 0,15A SOT-416
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Semiconductor de Rohm
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Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán cumplirse en todos los casos. |
Transistores bipolares - BJT baja saturación de voltaje
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En el caso de las
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Las partidas de los equipos de ensayo deberán estar equipadas con un dispositivo de ensayo de la categoría 1 del presente anexo. |
Transistores bipolares - BJT BIP PNP 5A 50V
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En el caso de las
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PBSS4350X,115 |
Transistores bipolares - BJT NPN 50V 3A
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Nexperia
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DSC5001R0L: las condiciones de los equipos de ensayo |
Transistores bipolares - BJT SM SIG TRANS FLT LD 2.0x2.1 mm
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Las máquinas de la clase Panasonics
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2SD1623S-TD-E: el número de unidades de seguridad de las que se trate. |
Transistores bipolares - BJT BIP NPN 2A 50V
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En el caso de las
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Transistores bipolares - BJT PNP de potencia media
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Diodos incorporados
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2SB1198KT146Q |
Transistores bipolares - BJT PNP 80V 0,5A
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Semiconductor de Rohm
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Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
Transistores bipolares - BJT 40V 300mW
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Diodos incorporados
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2SD1781KT146R |
Transistores bipolares - BJT NPN 32V 0.8A
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Semiconductor de Rohm
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2SC2411KT146Q |
Transistores bipolares - BJT NPN 32V 0.5A
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Semiconductor de Rohm
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2SA1774TLQ |
Transistores bipolares - BJT PNP 50V 0,15A SOT-416
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Semiconductor de Rohm
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64.215 libras esterlinas |
Transistores bipolares - BJT TRANS HV TAPE-7 - Transistores bipolares - Transistores bipolares - Tra
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Nexperia
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PHPT60603NYX |
Transistores bipolares - BJT NPN Transistores bipolares de alta potencia
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Nexperia
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Se aplicará el método de clasificación de los productos. |
Transistores bipolares - BJT NPN BIPOLAR
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Diodos incorporados
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Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2. |
Transistores bipolares - BJT 10A 80V 50W PNP
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En el caso de las
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Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
Transistores bipolares - BJT SS NPN 300mW
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Diodos incorporados
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MMBT5401-7-F |
Transistores bipolares - BJT SS PNP 300 mW
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Diodos incorporados
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en el caso de los vehículos de la categoría M2115 |
Transistores bipolares - BJT TRANS GP TAPE-7
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Nexperia
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FZT1049ATA |
Transistores bipolares - BJT NPN de alta ganancia y crnt
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Diodos incorporados
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PBSS8110T,215 |
Transistores bipolares - BJT TRANS BISS TAPE-7 - Transistores bipolares - Transistores bipolares - T
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Nexperia
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Los requisitos de seguridad de los dispositivos de seguridad de seguridad de seguridad de seguridad de seguridad de seguridad de seguridad de seguridad de seguridad de seguridad de seguridad de seguridad de seguridad de seguridad de seguridad de seguridad de seguridad de seguridad de seguridad |
Transistores bipolares - BJT BIP PNP 5A 50V
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En el caso de las
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Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente. |
Transistores bipolares - BJT 100V NPN bajo VCE ((SAT) TRA
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En el caso de las
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FMMT619TA |
Transistores bipolares - BJT NPN SuperSOT
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Diodos incorporados
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Se trata de una prueba de detección. |
Transistores bipolares - BJT PNP de potencia media
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de control de la calidad. |
Transistores bipolares - BJT NPN Transistores bipolares de alta potencia
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Nexperia
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BC807,215 |
Transistores bipolares - BJT TRANS GP TAPE-7
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Nexperia
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En el caso de los vehículos de motor de motor de motor de motor de motor,115 |
Transistores bipolares - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 - Transistores bipolares - Transistores bipolares
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Nexperia
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FMMT618TA |
Transistores bipolares - BJT NPN SuperSOT
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores bipolares - poder medio de BJT NPN
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Diodos incorporados
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FMMT458TA |
Transistores bipolares - BJT NPN de alto voltaje
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Diodos incorporados
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DNBT8105-7: el número de personas que se encuentran en el lugar de trabajo. |
Transistores bipolares - BJT 1A
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Diodos incorporados
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Se trata de la MMBT3904.215 |
Transistores bipolares - BJT TRANS SW TAPE-7
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Nexperia
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores bipolares - BJT NPN Trans/Switch Diode-Relay Drvr
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores bipolares - Transistores de 60 V de la generación BJT PNP
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Diodos incorporados
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MJD44H11G |
Transistores bipolares - BJT 8A 80V 20W NPN
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En el caso de las
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2SC5964-TD-E. Las demás partes |
Transistores bipolares - conmutación de alta corriente BJT
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En el caso de las
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el punto de referencia de la partida B.215 |
Transistores bipolares - BJT PNP GP 100MA 45V
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Nexperia
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ZXTP2041FTA y el resto de los componentes |
Transistores bipolares - BJT PNP 40V 1A 3-PIN
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Diodos incorporados
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FMMT493TA |
Transistores bipolares - poder medio de BJT NPN
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Diodos incorporados
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en el caso de los vehículos de la categoría M2115 |
Transistores bipolares - BJT TRANS GP TAPE-7
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Nexperia
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MJ15024G |
Transistor bipolar (BJT) NPN 250 V 16 A 4MHz 250 W a través del agujero TO-204 (TO-3)
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En el caso de las
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