Filtros
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transistores
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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Se aplicará el método siguiente: |
Modulos IGBT 1200V y 900A
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Tecnologías Infineon
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FP100R12KT4 |
Modelos IGBT Módulo IGBT
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. |
Los módulos IGBT IGBT 1700V 1200A
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Módulos IGBT EconoDUAL 3 1700V módulo IGBT dual con IGBT4 de trinchera / campo, diodo controlado por
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Tecnologías Infineon
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VUB145-16NOXT: las condiciones de los productos |
Modulos IGBT Puente rectificador de 3 fases con IGBT
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IXYS
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AUIRGDC0250 |
IGBT 1200V 141A 543W hasta 220
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
Los módulos IGBT N-CH 600V 37A
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Tecnologías Infineon
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Se trata de un sistema de control de velocidad. |
Los módulos IGBT N-CH 1.2KV 100A
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Tecnologías Infineon
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Las condiciones de los vehículos de las categorías A y B deberán ser las siguientes: |
Modelos IGBT Modulos IGBT 650V 150A
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Tecnologías Infineon
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FP100R06KE3 |
Los módulos IGBT N-CH 600V 100A
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el método siguiente: |
Modulos IGBT 1200V 150A doble
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Tecnologías Infineon
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FF450R12KT4 |
Módulos N-CH 1.2KV 580A de IGBT
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Tecnologías Infineon
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El número de unidades de producción |
El número de conexión de la unidad de transmisión IGBT 600V TO247-3
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Tecnologías Infineon
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FNA22512A |
Módulo de energía inteligente de inversor de 1200V 25A
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Semiconductor Fairchild
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Los módulos IGBT N-CH 1.2KV 320A
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Modulos IGBT 1200V y 600A
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Tecnologías Infineon
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2MBI200U4H-120 |
Módulo de IGBT
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Fuji eléctrico
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2SB1184TLQ: las condiciones de los equipos de ensayo y de los equipos de ensayo. |
Transistores bipolares - BJT D-PAK;BCE PNP;Driver SMT HFE RANK Q
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Semiconductor de Rohm
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En el caso de las personas que se encuentran en el lugar de trabajo. |
Transistores bipolares - BJT BIPOLAR XTSR 2A/50V
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En el caso de las
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ZXTN649FTA |
Transistores bipolares - BJT Zetex Med. Potencia NPN
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Diodos incorporados
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2SA1900T100Q: las condiciones de los equipos de ensayo y de los equipos de ensayo. |
Transistores bipolares - BJT PNP 50V 1A SO-89
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Semiconductor de Rohm
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DSA200200L |
Transistores bipolares - BJT SM SIG BIPLR TRANS GL WNG 2.9x2.8mm
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Las máquinas de la clase Panasonics
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DSA7101R0L |
Transistores bipolares - BJT BIPLR PW TRANS PLATO con plomo de 4,5x4,0 mm
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Las máquinas de la clase Panasonics
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2SC2412KT146R |
Transistores bipolares - BJT NPN 50V 0,15A
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Semiconductor de Rohm
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Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán cumplirse en todos los casos. |
Transistores bipolares - BJT BIP PNP 5A 20V
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En el caso de las
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos |
Transistores bipolares - poder medio de BJT NPN
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Diodos incorporados
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2SC5200-O (Q) |
Transistores bipolares - BJT NPN 230V 15A
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toshiba
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BCW66HTA |
Transistores bipolares - BJT NPN baja saturación
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Diodos incorporados
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MMBT3906-7-F |
Transistores bipolares - BJT 40V 300mW
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores bipolares - BJT 40V 150mW
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Diodos incorporados
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FZT651TA |
Transistores bipolares - poder medio de BJT NPN
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Diodos incorporados
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FZT857TA |
Transistores bipolares - BJT NPN de alto voltaje
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Diodos incorporados
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ZXTN2010ZTA |
Transistores bipolares - BJT 60V NPN Med de energía
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Diodos incorporados
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PZT2222AT1G |
Transistores bipolares - BJT 600mA 75V NPN
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En el caso de las
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MJD45H11-1G |
Transistores bipolares - BJT 8A 80V 20W PNP
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En el caso de las
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MMBTA42-7-F |
Transistores bipolares - BJT 300V 300mW
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Diodos incorporados
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FZT657TA |
Transistores bipolares - BJT NPN de alto voltaje
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores bipolares - BJT 200mA 60V NPN
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En el caso de las
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Se trata de una prueba de la calidad de los productos. |
Transistores bipolares - BJT PNP de potencia media
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Diodos incorporados
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2SA1837 |
Transistores bipolares - BJT PNP - 230 V -1A 20 W
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toshiba
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FZT653TA |
Transistores bipolares - poder medio de BJT NPN
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Diodos incorporados
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FZT851TA |
Transistores bipolares - BJT NPN de alta corriente
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Diodos incorporados
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2SA1774EBTLR: el sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero y de los gases de efecto invernadero |
Transistores bipolares - BJT TRANS GP BJT PNP 50V 0,15A 3-P
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Semiconductor de Rohm
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SST3904T116 |
Transistores bipolares - BJT 40V 20MA
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Semiconductor de Rohm
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2SC4672T100Q |
Transistores bipolares - BJT NPN 50V 3A
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Semiconductor de Rohm
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BCP56T1G |
Transistores bipolares - BJT 1A NPN de 100 V
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En el caso de las
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Se trata de una serie de medidas que se aplican a las personas físicas. |
Transistores bipolares - BJT NPN 40V 0.6A
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Semiconductor de Rohm
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2SD1733TLR, el cual es el siguiente: |
Transistores bipolares - BJT NPN 80V 1A
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Semiconductor de Rohm
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2SC3906KT146R, incluidos los demás |
Transistores bipolares - BJT NPN 120V 50MA
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Semiconductor de Rohm
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2SA1037AKT146Q |
Transistores bipolares - BJT PNP 50V 0,15A
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Semiconductor de Rohm
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